在这种电路布置中，增强模式N沟道MOSFET用于切换简单的灯“ON”和“OFF”（也可以是LED）

栅极输入电压VGS被取为适当的正电压电平，以使器件和灯负载“开启”（VGS=+ve）或处于使器件“关闭”（VGS=0V）的零电压电平。

如果灯的电阻负载被电感负载（如线圈、螺线管或继电器）取代，则需要与负载并联的“飞轮二极管”，以保护MOSFET免受任何自行产生的反电动势的影响。

上面显示了一个用于切换电阻负载（如灯或LED）的非常简单的电路。但是，当使用功率MOSFET来切换电感或电容负载时，需要某种形式的保护来防止MOSFET器件损坏。驱动电感性负载具有与驱动电容性负载相反的效果

例如，没有电荷的电容器是一种短路，导致电流的高“涌入”，当我们从电感负载上去除电压时，随着磁场的崩溃，我们会产生很大的反向电压，从而在电感器的绕组中产生感应反电动势。

然后，我们可以在下表中总结N沟道型和P沟道型MOSFET的开关特性。
 

请注意，与N沟道MOSFET不同的是，其栅极端子必须比源极更正（吸引电子）才能允许电流流过沟道，通过P沟道MOSFET的传导是由于空穴的流动。也就是说，P沟道MOSFET的栅极端子必须比源极更负，并且只会停止导通（截止），直到栅极比源极更有正。

因此，为了使增强型功率MOSFET作为模拟开关器件工作，它需要在其“截止区”和“饱和区”之间切换，其中：VGS=0V（或VGS=-ve）。MOSFET（PD）中耗散的功率取决于饱和时流过通道ID的电流，以及给定为RDS（on）的通道的“导通电阻”。