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  • 好用简易抗震动抗干扰光控电路图解-竟业电子 好用简易抗震动抗干扰光控电路图解-竟业电子
    简易可靠光控电路 作用:在夜间自动开启灯光,照亮路面和地脚线 光控电路电路 优势:抗干扰,抗震动,简易。 它单向可控硅构成的控制电路 可控硅V起到无触点开关的作用。 继电器J用:交流220V的交流继电器,可直接串联在220V的回路中。 天亮时,Rds减小,两端电压也很小,可控硅V截止,J失电,常开触点J-2断开,大功率接触器K断开,灯灭,对于小功率的灯,直接使用J就可以控制。 天黑时,Rds增大,两端电压增加,V导通,J吸合,灯亮。

    时间:2025/3/3键词:光控电路

  • MOS场效应管驱动电路设计时注意事项及解决方案-MOS场效应管知识-竟业电子 MOS场效应管驱动电路设计时注意事项及解决方案-MOS场效应管知识-竟业电子
    驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路。1.直接把驱动芯片的输出端接到MOS场效应管栅极,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS场效应管急剧发热甚至爆炸。 解决方案:在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减掉。    MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通。 解决方案:在MOS场效应管 G S之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。

    时间:2025/2/27键词:MOS场效应管

  • USB与电池供电切换电路图及工作过程-竟业电子 USB与电池供电切换电路图及工作过程-竟业电子
    USB-VIN的电源来自USB供电; BAT-VIN来自电池供电; VCC-POW是系统的电路输入端。 当使用电池供电时,可以实现系统开机。 Q2场效应管是漏极与源极反接,起到电压选择作有,非开关管功能,利用寄生二极管使电源通过,Q3是开关管正常接法,处于截止状态,此时系统无电; K1,Q1基极为高电平,电阻R2,R3保证此时Q1处于导通,则Q1集电极为低,此时,Q2,Q3这两个P沟道的场效应管的栅极为低,使Q3的栅极电压低于源极电压,Q3导通,R6维持源极和栅极电平关系,电源到达VCC-POW,给系统上电。

    时间:2025/2/25键词:电池电路

  • 4个电容和6个开关组成的开关电容的共模反馈-竟业电子 4个电容和6个开关组成的开关电容的共模反馈-竟业电子
    实现共模反馈只需要:4个电容+6个开关 几乎不会影响OPAM本身的输出级电压摆幅、增益之类的规格,非常高效。 数据加权平均 基本思想是快速遍历DAC中的每一个电流元,从而减少电流元失配对ADC信噪比的影响,仅通过几个简单的数电模块,就可以实现对电流元失配的一阶噪声整形,非常巧妙。

    时间:2025/2/24键词:开关电容

  • CMOS轨到轨电压反馈放大器解决方案-竟业电子 CMOS轨到轨电压反馈放大器解决方案-竟业电子
    CMOS轨到轨放大器电路解决方案,高带宽电压反馈放大器 解决方案:差分输入阶来驱动折叠的Cascode第二阶,由第二阶在高阻抗增益节点上将输入阶的差分电压转换成一个电流,该电流随着放大器的高电压增益而实现。 本质:在高阻抗节点上变成一个输出信号的第二阶电流源输出阻抗会增加任何在信号通道晶体管内产生的电流差距。 输出阶是一个推挽式AB级缓冲器,将高电压增益缓冲成放大器的单端输出。

    时间:2025/2/13键词:MOS

  • 含受控源电路等效电阻是怎么计算-竟业电子 含受控源电路等效电阻是怎么计算-竟业电子
    含受控源的网络,计算一般比较复杂,容易出错,需引起注意。 电路求等效电阻Rab。含受控源的电路,计算等效电阻时,一般无法用电阻串并联公式或Y-三角形转换去做。 如下图所示 错误理解:忽略电路中无独立源(激励)所以也没有响应,受控源可以去掉,等效电阻就是10+10=20欧。 受控源跟电阻一样,需要外加激励,才能有响应。

    时间:2025/2/11键词:含受控源

  • 英飞凌infineon集成式MEMS超声换能器-竟业电子 英飞凌infineon集成式MEMS超声换能器-竟业电子
    英飞凌infineon在开发电容式微机械超声换能器(CMUT)技术方面取得了重大进展。该技术使该公司能够为基于MEMS的超声换能器制造第一个集成的单芯片解决方案,该解决方案具有更小的占地面积、更高的性能和更高的功能。这种集成使新设备成为开发新的超声波应用和改进消费电子、汽车工业和医疗技术中现有应用的理想选择。

    时间:2025/1/20键词:英飞凌infineon

  • 硬件电路一键开关机功能-电源开关知识-竟业电子 硬件电路一键开关机功能-电源开关知识-竟业电子
    开关S1按下之前:Q1的G极通过电阻R1、C4的作用为高电平,AO3415为PMOS管不会导通,VIN没有电压输出。 当开关S1按下:Q1的G极被拉低,Q1被导通VIN有电压输出。 按键松开时:由于电容C4通过VIN、R2、R11充电,充电完成后LM393同相端的电压降保持和VIN一致,高于反向端的电压,有电压比较器的原理可知,电压比较器输出高电平Q2被导通,G极被拉低,Q1被导通,完成开机过程。

    时间:2025/1/9键词:开关

  • MOS场效应管米勒效应引起驱动电路中的误开通电路图-竟业电子 MOS场效应管米勒效应引起驱动电路中的误开通电路图-竟业电子
    米勒效应带来的误开通,如下图所示,MOS场效应管可看作是一个受门极电压控制的开关,当门极电压大于开通阈值时,MOS场效应管就会被开通;而当门极电压低于开通阈值时,功率器件就会被关断,但在实际的应用中,由于器件及外围线路寄生参数的影响,会导致原本关断的功率器件会被误开通。

    时间:2025/1/3键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管过压保护自锁控制电路-竟业电子 MOS场效应管过压保护自锁控制电路-竟业电子
    MOS场效应管自锁型控制电路是为了,电源系统中反馈回路失效,输出电压升高超出规定时,避免设备损坏的过压保护解决方案其中一种。 三种过压保护工作原理 隔离自锁型控制电路 当过压保护信号CONTROL端给出一个高电平时,U1中的三极管导通,VCC为整个电路的供电端,Vcc经R5给Q2一个基极电流,Q1导通并进入饱和状态,SHUT端被Q2拉至低电平,PWM关闭电源无输出。

    时间:2024/12/26键词:MOS场效应管

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