MOS场效应管工作即产生损耗：导通+开关

导通

在“导通”状态，栅极电压 > MOSFET平台电压，MOS场效应管完全导通下产生的损耗。

导通时，漏极和源极间有小电阻，即导通电阻RDS(on)，当电流流过时产生的功耗。

导通损耗Pcon主要与MOS场效应管的导通电阻有关：

导通电阻越大，导通损耗越高

负载电流越大，导通损耗越高

PS:导通电阻随温度升高而增加

栅-源极间并联一个电容，不会影响负载电流和导通电阻。

 

开关

MOSFET在开启和关断过程中产生的损耗

在每次开与关，MOSFET从导通到截止或从截止到导通的过程中，漏极电流和漏极-源极电压并非瞬间达到目标状态，是有一个渐变过程。在这个过程中，电压和电流同时存在，导致功耗。

 

如下图，MOS存在寄生电容，导致MOS场效应管存在米勒效应，在t1时间段内，Vds不变，Id增加，对应的功耗为蓝色区域，在t2时间段内，Vds减小，Id基本不变（实际会缓慢增加），对应的功耗为蓝色区域。

开关损耗Psw的近似公式为：

Vds：漏-源电压
Id：漏极电流
Ton：开通时间
Toff：关断时间
ton=t1+t2
F：开关频率