MOS场效应管双向电平转换电路分析及注意事项-竟业电子

   时间:2025/3/20      阅读:339   关键词:MOS场效应管

如果遇到IO电平不匹配时,或在I2C总线,主芯片多个外设直接时,会遇到不相同的电源域电压

MOS场效应管双向电平转换电路分析及注意事项

上图是经典案例
从左向右,正向
SDA_M(Master)输出高电平
MOS场效应 Vgs=0 ,管子不导通SDA_S(Slave)线被电阻上拉到5V;

SDA_M输出低电平
MOS场效应Vgs=3.3V,此电压>导通电压管子导通SDA_S过管被拉低到低电平;

 

从右向左,

SDA_S输出高电平
MOS场效应 Vgs=0,管不导通,SDA_M线被电阻上拉到3.3V;

SDA_S输出低电平
初始MOS场效应Vgs=0V不导通;

SDA_S是低,MOS场效应管体二极管SDA_M拉低,
Vgs=3.3V  导通SDA_M通过MOS场效应管被进一步拉低到低电平;

不应存在两边同时输出情况

 

注意

Vgs选取,目前最多应用是3.3V/1.8V间电平转换

 

仿真电路

MOS场效应管双向电平转换电路分析及注意事项


VG1模拟输出一个1kHz方波,作输出端,是3.3V IO电平。
MOS T1右侧5V IO电平
MOS T2右侧3.3V IO电平
此处用两套电路来模拟相互转换
R13.3V输出端的上拉
R25V IO端的上拉
R3右侧3.3V输出端上拉

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