英飞凌infineon宣布，其新PSOC™Control C3 Perance Line系列微控制器（MCU）符合商业国家安全算法（CNSA）套件2.0中概述的后量子密码学（PQC）固件保护要求。MCU还支持PSA（平台安全架构）3级合规性。通过符合这两个标准，英飞凌的PSOC Control C3性能系列满足了各种工业应用的安全需求，并简化了它们在PQC时代向更高安全性的过渡。

英飞凌infineon正在扩大其CoolSiC™MOSFET 650 V G2产品组合，推出新的75 mΩ变体，以满足对更紧凑、更强大系统的需求。这些器件有多种封装选项，包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3和TO247-4。因此，该产品系列支持顶侧冷却（TSC）和底侧冷却（BSC）方法，并为开发人员提供了高度的灵活性。 这些设备非常适合不同应用中的高功率和中功率开关电源（SMPS），包括人工智能服务器、可再生能源、电动汽车和电动汽车充电器、人形机器人充电器、电视和驱动器。

英飞凌infineon的CoolSiC™MOSFET 1200 V G2采用Q-DPAK封装，可为工业应用提供更高的功率密度， 英飞凌infineon推出了采用顶侧冷却（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™MOSFET 1200 V G2。新设备提供了优化的热性能、系统效率和功率密度。它们是专门为要求高性能和可靠性的工业应用而设计的，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器和固态断路器。

英飞凌infineon Power PROFET™24/48V智能电源开关系列具有最低的欧姆电阻，可优化汽车配电 随着汽车架构向混合动力和电动车型过渡，传统电池系统越来越多地被48V电源补充或取代。随着12V和24V电网系统达到极限，这一转变有望成为未来电动汽车的新标准。48V系统可实现先进功能，提高乘客舒适度，并通过减少电流和简化线束复杂性来提高效率。此外，一次和二次配电系统的电气化需要更换传统的继电器和保险丝。为了支持这一发展，英飞凌infineon 推出了Power PROFET™24/48V开关系列，该系列专为现代车辆电源系统的要求而开发。

英飞凌infineon 通过推出PSOC 4 HVMS产品系列，扩展了其PSOC™4 HV微控制器（MCU）平台。新系列针对空间受限的传感或执行器应用进行了优化，将高压功能和先进的模拟传感功能集成到标准微控制器中，以最少的外部组件连接到汽车电池和车辆网络。 在汽车市场，功能安全越来越多地应用于低端微控制器应用。与此同时，汽车设计师正致力于为空间受限的应用开发紧凑、高度集成的控制单元。对智能、视觉吸引力的内饰和增强驾驶体验的需求不断增长，也推动了对在具有挑战性的条件下可靠工作的强大电容式传感解决方案的需求。

CIS推出由英飞凌infineon EZ-USB™控制器供电的USB 3.2摄像头，以增强数据传输和性能。 英飞凌infineon向CIS公司提供EZ-USB™FX10和FX5控制器，用于其新的USB 5 Gbit/s和10 Gbit/s摄像头。这些下一代设备基于EZ-USB FX3（一种广泛采用的USB外围控制器），增加了对高速USB 10的支持 Gbit/s和LVDS接口。与上一代相比，这一进步将总数据带宽提高了275%，实现了更快的数据传输和更高的系统性能。

英飞凌infineon将推出XENSIV™TLE4802SC16-S0000，这是一种电感传感器，旨在提高汽车底盘应用的性能。该传感器能够实现高精度的扭矩和角度测量，具有强大的杂散场鲁棒性，支持通过SENT或SPC协议的数字输出。它实现了高精度的传感，而不需要额外的屏蔽。该传感器专为电动助力转向系统而设计，包括扭矩和转向角传感器，以及踏板和悬架应用，具有灵活性和可靠性。

OptiMOS 6 80V是英飞凌infineon广泛的硅功率MOSFET产品组合的一部分，旨在满足人工智能服务器应用对性能、效率和集成日益增长的需求。该产品组合利用了最新的MOSFET技术，并提供了各种特定应用的变体，针对不同的冷却概念和系统要求进行了优化。英飞凌硅功率MOSFET符合最高的质量和保护标准，可确保产品可靠性、可靠的系统正常运行时间和经过验证的电源稳定性。 作为电力系统的领导者，英飞凌infineon掌握了所有三种相关的半导体材料，在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）方面拥有广泛的产品组合。

英飞凌infineon OptiMOS™6 80V MOSFET在领先的AI服务器平台上树立了DC-DC功率转换效率的新标杆 随着图形处理单元（GPU）的性能不断提高，电路板级别的功耗要求也在提高。中间总线转换器（IBC）——例如将48V输入电压转换为较低的总线电压——对于人工智能数据中心的能源效率、功率密度和热性能变得越来越重要。 英飞凌infineon宣布，其采用紧凑型5x6 mm²双面冷却（DSC）封装的OptiMOS™6 80V功率MOSFET已集成到一家领先处理器制造商的AI服务器平台的IBC阶段。应用测试表明，与以前使用的解决方案相比，效率提高了约0.4%，相当于每千瓦负载节省了约4.3瓦。

英飞凌infineon推出新的CoolSiC™JFET技术，实现更智能、更快的固态配电 为了实现下一代固态配电系统，英飞凌infineon正在通过新的CoolSiC™JFET产品系列扩大其碳化硅（SiC）产品组合。新器件具有最小的传导损耗、可靠的关断能力和高鲁棒性，使其成为先进固态保护和配电的理想选择。