OptiMOS 6 80V是英飞凌infineon广泛的硅功率MOSFET产品组合的一部分，旨在满足人工智能服务器应用对性能、效率和集成日益增长的需求。该产品组合利用了最新的MOSFET技术，并提供了各种特定应用的变体，针对不同的冷却概念和系统要求进行了优化。英飞凌硅功率MOSFET符合最高的质量和保护标准，可确保产品可靠性、可靠的系统正常运行时间和经过验证的电源稳定性。 作为电力系统的领导者，英飞凌infineon掌握了所有三种相关的半导体材料，在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）方面拥有广泛的产品组合。

英飞凌infineon OptiMOS™6 80V MOSFET在领先的AI服务器平台上树立了DC-DC功率转换效率的新标杆 随着图形处理单元（GPU）的性能不断提高，电路板级别的功耗要求也在提高。中间总线转换器（IBC）——例如将48V输入电压转换为较低的总线电压——对于人工智能数据中心的能源效率、功率密度和热性能变得越来越重要。 英飞凌infineon宣布，其采用紧凑型5x6 mm²双面冷却（DSC）封装的OptiMOS™6 80V功率MOSFET已集成到一家领先处理器制造商的AI服务器平台的IBC阶段。应用测试表明，与以前使用的解决方案相比，效率提高了约0.4%，相当于每千瓦负载节省了约4.3瓦。

英飞凌infineon推出新的CoolSiC™JFET技术，实现更智能、更快的固态配电 为了实现下一代固态配电系统，英飞凌infineon正在通过新的CoolSiC™JFET产品系列扩大其碳化硅（SiC）产品组合。新器件具有最小的传导损耗、可靠的关断能力和高鲁棒性，使其成为先进固态保护和配电的理想选择。

英飞凌infineon通过EasyPACK™CoolGaN™电源模块扩展其GaN电源产品组合，用于高压应用 随着人工智能数据中心的快速增长、电动汽车的日益普及以及全球数字化和再工业化的持续趋势，全球电力需求预计将激增。为了应对这一挑战，英飞凌infineon正在推出EasyPACK™CoolGaN™晶体管650 V模块，以增加其不断增长的GaN电源组合。 基于Easy Power Module平台，该模块专为数据中心、可再生能源系统和直流电动汽车充电站等高功率应用而开发。它旨在满足对更高性能日益增长的需求，同时提供最大的易用性，帮助客户加快设计过程，缩短上市时间

英飞凌infineon推出紧凑设计的新型CoolSET™系统级封装（SiP），可在宽输入电压范围内高效提供高达60 W的功率 英飞凌infineon将推出其新的CoolSET™系统级封装（SiP），这是一种紧凑、完全集成的系统功率控制器，可在85-305V AC的通用输入电压范围内高效提供高达60W的功率。采用小型SMD封装，具有低R DS（ON）的高压MOSFET消除了对外部散热器的需求，降低了系统尺寸和复杂性。

英飞凌infineon CoolMOS™8超结MOSFET为LITEON服务器应用中的优化系统性能设定了新标准 英飞凌infineon向电源管理解决方案的领导者LITEON提供其600 V CoolMOS™8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，以在服务器应用中实现卓越的效率和可靠性。600V CoolMOS 8提供了一种一体化解决方案，改进了LITEON的新一代技术，适用于现有和即将推出的服务器应用程序设计。

英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的具有超低RDS（on）的CoolSiC™MOSFET 750 V G2 英飞凌推出了新的CoolSiC™MOSFET 750 V G2技术，旨在提高汽车和工业电源转换应用中的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2技术提供了一种粒度组合，在25°C下具有高达60 mΩ的典型R DS（on）值，使其适用于广泛的应用，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备（xEV）以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和SMPS中的工业应用。

48V系统可实现先进功能，提高乘客舒适度，并通过减少电流和简化线束复杂性来提高效率。此外，一次和二次配电系统的电气化需要更换传统的继电器和保险丝。为了支持这一发展，英飞凌infineon推出了Power PROFET™+24/48V开关系列，该系列专为现代车辆电源系统的要求而开发。 英飞凌infineon Power PROFET+24/48V开关系列采用紧凑的TO无引线封装，包括两种高压侧开关变体：R DS（ON）为3.0 mΩ的BTH50030-1LUA和R DS（OFF）为1.5 mΩ的BT H50015-1LUA，可在大电流应用中实现最小的功率损耗。这些设备非常适合当今汽车电气系统、商用车和混合动力车的苛刻要求，以及下一代电动汽车，它们可以提供更安全、更环保、更舒适的驾驶体验。

英飞凌infineon的600 V CoolMOS™8高压超结（SJ）MOS场效应管产品系列使全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商Enphase Energy能够简化其系统设计并降低组装成本。通过使用600 V CoolMOS 8 SJ，Enphase能够显著降低其太阳能逆变器系统的MOSFET电阻（R DS（on）），从而降低传导损耗，提高整体器件效率并提高功率密度。此外，该公司还实现了MOSFET相关成本的节约。

英飞凌infineon推出新一代高密度电源模块，用于人工智能数据中心的垂直供电（VPD） 全球电力系统和物联网半导体领导者英飞凌infineon推出了下一代高密度电源模块，在实现人工智能和高性能计算方面发挥着关键作用。通过增强系统性能和英飞凌的商标稳健性，新的OptiMOS™TDM2454xx四相电源模块为人工智能数据中心运营商提供了一流的功率密度和总拥有成本（TCO）。