| Parametrics | IKW30N60H3 |
|---|---|
| Eoff (Hard Switching) | 0.44 mJ |
| Eon | 0.94 mJ |
| IC (@ 25°) max | 60 A |
| IC (@ 100°) max | 30 A |
| ICpuls max | 120 A |
| IF max | 30 A |
| IFpuls max | 120 A |
| Irrm | 12 A |
| Ptot max | 187 W |
| Package | TO-247-3 |
| QGate | 165 nC |
| Qrr | 320 nC |
| RG | 10.5 Ω |
| RGint | - |
| Switching Frequency | HighSpeed3 20-100 kHz |
| Switching Frequency min max | 20 kHz 100 kHz |
| Technology | IGBT HighSpeed 3 |
| VCE(sat) | 1.95 V |
| VCE max | 600 V |
| VF | 1.65 V |
| td(off) | 207 ns |
| td(on) | 21 ns |
| tf | 22 ns |
| tr | 33 ns |
TO-247封装中带反并联二极管的600 V IGBT
高速600 V，30 A硬开关TRENCHSTOP™ 在TO-247封装中与续流二极管共同封装的IGBT3提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为，导致低关断损耗。
功能概述
低开关损耗，实现高效率
卓越的VCE（sat）性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
具有低EMI发射的快速切换行为
针对目标应用优化二极管，意味着进一步改善开关损耗
可以选择低栅极电阻器（低至5Ω），同时保持良好的开关性能
短路能力5µs
提供175°C的Tj（最大值）
带和不带续流二极管封装，增加设计自由度
优势
低开关和导通损耗
非常好的EMI性能
可与小型栅极电阻器一起使用，以减少延迟时间和电压过冲
高电流密度
一流的600 V IGBT效率和EMI性能
应用
不间断电源
工业加热与焊接
太阳能系统解决方案
