| Parametrics | IRFB4227 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.43 |
| ID (@25°C) max | 65 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -40 °C 175 °C |
| Ptot max | 190 W |
| Package | TO-220 |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 70 nC |
| Qgd | 23 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 24 mΩ |
| RthJC max | 0.45 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 200 V |
| VGS(th) min max | 4 V 3 V 5 V |
| VGS max | 30 V |
200V单N沟道StrongIRFET™ TO-220封装中的功率MOSFET
StrongIRFET™ 功率MOSFET系列针对低RDS（导通）和高电流能力进行了优化。这些设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涉及广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
功能概述
行业标准通孔电源包
高电流额定值
符合JEDEC标准的产品鉴定
针对低于100 kHz的开关应用优化的硅
与上一代硅相比，更柔软的体二极管
提供广泛的产品组合
优势
标准引脚可直接更换
高载流能力封装
行业标准资质等级
低频应用中的高性能
功率密度增加
为设计人员提供为其应用程序选择最佳设备的灵活性
应用
D类音频
