英飞凌infineon 12 kW PSU参考设计利用了所有相关的半导体材料硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。

英飞凌infineon发布用于AI数据中心和服务器的12 kW高密度电源单元（PSU）参考设计

英飞凌infineon推出了一种12千瓦的高性能电源单元（PSU）参考设计，专为人工智能数据中心和服务器应用而设计。参考设计提供了高效率和高功率密度，并利用了所有相关的半导体材料硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。它面向电力电子系统的研发工程师、硬件设计师和开发人员。

英飞凌infineon高级副总裁兼电源开关总经理Richard Kunčič表示：在不断寻求人工智能能源需求增加的过程中，英飞凌的贡献是提供具有最高转换效率的电源解决方案，以保护每一个可能的瓦特。新的12千瓦高密度电源单元参考设计使用了先进的功率转换拓扑，因此利用了CoolMOS™、CoolSiC™和CoolGaN™，使PSU在能效、可靠性和功率密度方面发挥了全部潜力。我们很自豪能站在为人工智能供电的最前沿。”

为了达到高性能水平，该设计在AC/DC和DC/DC功率级中利用了先进的功率转换拓扑。前端AC/DC转换器采用3级飞跨电容器交错功率因数校正（PFC）拓扑结构，在减少磁性元件体积的同时提供99.0%以上的峰值效率。这是通过英飞凌的CoolSiC技术实现的，该技术提供了高开关性能和优异的热性能。

隔离式DC/DC转换器采用全桥LLC谐振转换器，通过使用两个平面高频变压器和英飞凌的CoolGaN技术，可提供超过98.5%的峰值效率。这些架构与英飞凌最新的宽带隙技术相结合，实现了高达113 W/in³的功率密度。

12 kW PSU参考设计的另一个关键特征是双向能量缓冲器，它集成在整体电源拓扑中。该转换器能够满足保持时间要求，同时显著降低电容要求。此外，能量缓冲器提供电网整形功能，提高了系统可靠性，并限制了瞬态事件期间从电网中提取的功率的波动和变化率。