英飞凌infineon的CoolSiC™MOSFET 1200 V G2采用Q-DPAK封装，可为工业应用提供更高的功率密度
英飞凌infineon推出了采用顶侧冷却（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™MOSFET 1200 V G2。新设备提供了优化的热性能、系统效率和功率密度。它们是专门为要求高性能和可靠性的工业应用而设计的，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器和固态断路器。

顶部冷却Q-DPAK封装中的CoolSiC™MOSFET 1200 V G2可为工业应用提供更高的功率密度

英飞凌infineon新的CoolSiC 1200 V G2技术比上一代技术有了显著改进，使等效RDS（on）设备的开关损耗降低了25%，从而将系统效率提高了0.1%。利用英飞凌的改进，XT芯片连接互连技术，与G1系列产品相比，G2器件的热阻降低了15%以上，MOSFET温度降低了11%。

出色的RDS（on）值，范围从4 mΩ到78 mΩ，以及广泛的产品组合，使设计人员能够灵活地为其目标应用优化系统性能。

此外，新技术支持高达200°C结温（Tvj）的过载运行，并具有抗寄生开启的高鲁棒性，确保在动态和苛刻条件下可靠运行。
 

CoolSiC MOSFET 1200 V G2有两种Q-DPAK配置：单开关和双半桥。这两种变体都是英飞凌更广泛的X-DPAK顶侧冷却平台的一部分。所有TSC变体（包括Q-DPAK和TOLT）的标准化封装高度为2.3毫米，该平台提供了设计灵活性，使客户能够在单个散热器组件下扩展和组合不同的产品。这种设计灵活性简化了先进的电力系统开发，使客户更容易定制和扩展他们的解决方案。

Q-DPAK封装通过实现从器件顶面到散热器的直接散热来提高热性能。与传统的底侧冷却封装相比，这种直接热路径提供了明显更好的传热效率，实现了更紧凑的设计。
此外，Q-DPAK封装布局设计允许最小化寄生电感，这对于更高的开关速度至关重要。这提高了系统效率并降低了电压过冲风险。该封装的占地面积小，支持紧凑的系统设计，同时与自动化装配工艺的兼容性简化了制造，确保了成本效益和可扩展性。