英飞凌infineon推出75 mΩ工业级CoolSiC™MOSFET 650 V G2，适用于高功率密度的中等功率应用

英飞凌infineon正在扩大其CoolSiC™MOSFET 650 V G2产品组合，推出新的75 mΩ变体，以满足对更紧凑、更强大系统的需求。这些器件有多种封装选项，包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3和TO247-4。因此，该产品系列支持顶侧冷却（TSC）和底侧冷却（BSC）方法，并为开发人员提供了高度的灵活性。

这些设备非常适合不同应用中的高功率和中功率开关电源（SMPS），包括人工智能服务器、可再生能源、电动汽车和电动汽车充电器、人形机器人充电器、电视和驱动器。

CoolSiC MOSFET 650 V G2基于CoolSiC技术的第二代（G2），与上一代相比，具有更高的品质因数、更高的可靠性和更强的易用性。

不同的封装提供了各种优势：TOLL和ThinTOLL 8x8封装在PCB上提供了高热循环稳定性，并实现了紧凑的系统设计。当用于SMPS时，它们减少了PCB的空间要求，降低了系统级的制造成本。

TOLL和ThinTOLL 8x8的目标应用列表已经扩展，使PCB设计人员能够应对降低成本的挑战。TOLT的加入加强了英飞凌不断增长的TSC产品系列，其中还包括CoolMOS™8、CoolSiC、CoolGaN™和Optimos™。TSC变体允许高达95%的直接散热，使设计人员能够使用PCB的两侧，提高空间利用率并减少寄生效应。

英飞凌infineon的CoolSiC™MOSFET 650 V G2产品组合现在扩展了新的75 mΩ变体，以满足对更紧凑、更强大系统的需求