此外，MOSFET与BJT的不同之处在于，栅极和沟道之间没有直接连接，不像BJT的基极-发射极结，因为金属栅电极与导电沟道电绝缘，因此其次要名称为绝缘栅场效应晶体管（insulated gate Field Effect Transistor，简称IGFET）。 我们可以看到，对于n沟道MOSFET（NMOS），衬底上方的半导体材料是p型，而源极和漏极是n型。电源电压将为正。将栅极端子偏置为正将栅极区域下方的p型半导体衬底内的电子吸引向它。

MOS场效应管开关电路缺点 因MOS场效应管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！ 电流路径如下： 后端电流路径 解决方案 1.在后端串联二极管 防止后端电压电流串扰的电路 优势：电路简单+成本低 劣势：二极管动态负载电阻大，特别不适合后盾负载变化大的 2.后端串联一个同规格的MOS场效应管 防止后端电压电流串扰的电路 优势：MOS场效应管开通电阻极小，对于

然而，为了确保通过场效应管器件的良好电流调节，从而确保更稳定的电流流动，最好将流过LED的最大沟道电流（在本例中为15mA）限制在JFET IDSS值的10%和50%之间。 使用MOSFET创建恒流源可以获得更大的沟道电流和更好的电流调节，并且与仅作为常开断开模式器件可用的结型场效应管不同。

电源模块输出端通常推荐增加一定的滤波电容，但在使用过程中，由于认识不足等原因，使用了过大的输出滤波电容，既增加了成本又降低了系统的稳定性。 容性负载过大如下图路a 一个电容3W的模块 输出使用2000uF 查阅产品手册，模块最大输出电容为800uF 输出电容过大可能导致启动不良

1VGS对ID及沟道的控制作用  VGS=0 (a)图，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。 当栅——源电压VGS=0时，即使加上漏——源电压VDS，而且不论VDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道 此时漏极电流ID≈0  VGS>0 若VGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。 排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。

SiC MOS场效应管 的最大特点是原理上不会产生如IGBT中经常见到的尾电流。 SiC 即使在1200V 以上的耐压值时也可以采用快速的MOS场效应管结构，所以，与IGBT 相比，Turn‐off 损耗（Eoff）可以减少约90%，有利于电路的节能和散热设备的简化、小型化。

MOS管面对电压时非常敏感，因为它是电压驱动 G极悬空，可能会受到外部干扰致使管子导通。 外部干扰信号对G极-S极结电容充电 此电荷，虽然非常的小，但是它可以储存相当长的时间。 非常的危险在G极悬空，如果在试验中要注意，可能会导致管子爆掉。 解决方案 G极接下拉电阻，即栅极电阻。 作用：旁路干扰信号不直通 此电阻阻值：10~20K

全对称OCL功放电路组成：场效应管，虽然在其上产生的负反馈有类似于晶体管的射极电阻的保护作用，但对MOS功放管来说，因它的漏极电流本身具有负温度系数的特点，不接源极电阻也无多大关系。 此放大器在交流负反馈电路中没有使用电阻，而采用了电容交流负反馈电路。

若：把GS间的电压，从0拉到，管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。 若：MOS管的GS电压，从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。 因此，在更短时间内把GS电压拉高或者拉低，即要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。

直接驱动可以克服上面列出级联电路的一些缺点。 如下图所示 TI LMG3422R030直接驱动GaN产品的功能框图，该产品使用与GaN HEMT共封装的硅控制芯片。 智能栅极控制可避免Si MOS场效应管反向恢复、低电感驱动器/HEMT封装集成以及集成保护电路和电压变化率控制，从而实现更高的闭环性能。