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- PMOS场效应管在电源开关中的应用-MOS场效应管知识-竟业电子
- PMOS场效应管打开时，前级电源VCC电压会跌落
原因：VCC_3G并联一个1000uf电容，初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起。减小容值有比较小的改善，直接去掉后电压才不会跌落，但是这个储能电容又不能去掉。
解决方案
解决这个问题的关键，就在于降低大容量电容的充电速度。
1.在1000uF与PMOS管之间串联电阻或者在电容上面串联电阻；
2. 在PMOS管之前增加串联电阻；
2.降低PMOS管的开通速度，包括在GS间并联电容或者在GD间并联电容；
3.在PMOS管与电容之间串联电阻或者在电容上面串联电阻 这种方法，其实就是降低电容的充电电流，从而减小前级电源电压的跌落。
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- V型槽MOS场效应管结构图及特点优势-MOS场效应管知识-竟业电子
- VMOS场效应管全称V型槽MOS场效应管
特点：继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
高阻抗：≥108W
小驱动电流：0.1μA左右
耐压高：最高可耐压1200V
大工作电流：1.5A～100A
高输出功率：1～250W
非常好的跨导的线性
开关速度快
应用于：电压放大倍数可达数千倍因此应用于电压放大器，功率放大器、开关电源和逆变器。
VMOS场效应管结构特点
1.金属栅极采用V型槽结构；
2.具有垂直导电性。
因漏极是从芯片的背面引出，ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。
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- 电源电压反转解决方案MOS场效应管电路-竟业电子
- 因为电源 (电池) 电压增强了MOS场效应管 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导，该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式 NMOS 晶体管导电率更高、成本更低且可用性更好。
在这两种电路中，MOS场效应管 都是在电池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOS场效应管 的物理“漏极”变成了电源，因为它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位，由于 MOSFET在三极管区域中是电对称的，
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- 场效应管功放级电路原理电路图-场效应管知识-竟业电子
- 功放级原理电路,推动级与后级之间的耦合取消传统的电容耦合方式，功率放大管采用双极型FET场效应管，此线路每声道为4对，并联使用，降低输出阻尼系数，此线路输出功率为50W，欣赏大动态音乐足够，每声道为4对时，如果配对比较困难，可采用2对，配对误差要求在3％以内。
各管要用云母绝缘，并涂上导热硅脂，各功率管的栅极电阻采用五色环1／4W的金属膜电阻。阻值越大，音色越“暖和”，经试验在330ohm到470ohm之间为最好，吸收回路中C与R的值不能太小，也可不要。
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- SiC MOS管应用于充电桩电源模块电路-MOS管知识-竟业电子
- 主流企业仅10家左右，包括特来电、盛弘股份、科华恒盛等为代表的自产自用型，英飞源、优优绿能、星源博睿、英可瑞等为代表的外供型两类。
新能源汽车800V平台的出现，主流充电模块也从之前主流的15、20kW向30、40kW发展，输出电压范围300Vdc-1000Vdc，并且具备双向充电功能，以达到V2G/V2H等技术要求。
因此，越来越多充电模块企业开始采用SiC MOS管解决方案。
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- MOS管开关反激CCM开通和关断损耗最恶劣电路图-竟业电子
- MOS管开关反激CCM开通和关断损耗最恶劣电路图
如下电路图为电流与电压在开关时交叠的过程
此图中描述的是其实是最恶劣的情况
最恶劣的情况分析：开通时等mos管电流上升到I1之后mos管电压才开始下降，关断时等mos管电压上升到Vds后mos管电流才开始下降。
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- 电源输出时场效应管在电路吸收噪声的作用-场效应管知识-竟业电子
- 一般选择场效应管的反向恢复时间要比二极管D1慢2~3倍，以避免形成直通电流，此电流会产生很强的磁场，会增大输出噪声，所以可通过栅极电阻R4来减慢开关管的导通速度。为了不影响关断速度可以在栅极电阻并联一个二极管D2如下图所示
可以在场效应管DS两端并联一个RC电路也可以有效的降低噪声，电容C2一般在100PF~300PF左右，电容值过大会导致场效应管的开关损耗加大，电阻R2一般选取小于10Ω电阻。
二极管在高速导通和关断时，反向恢复期间，二极管的寄生电感和电容会产生高频振荡，
为了抑制高频振荡可在二极管两端加RC缓冲电路
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