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| Parametrics | 1ED020I12-F2 |
|---|---|
| Channels | 1 |
| Configuration | High-side |
| Input Vcc min max | 4.5 V 5.5 V |
| Isolation Type | Galvanic isolation - Functional |
| Output Current (Source) | 2 A |
| Output Current (Sink) | 2 A |
| Turn Off Propagation Delay | 165 ns |
| Turn On Propagation Delay | 170 ns |
| VBS UVLO (Off) | 11 V |
| VBS UVLO (On) | 12 V |
| VCC UVLO (Off) | 3.8 V |
| VCC UVLO (On) | 4.1 V |
| Voltage Class | 1200 V |
带有源米勒箝位、DESAT和短路箝位的1200V单高边栅极驱动器IC
八个驱动器™ 用于IGBT的DSO-16宽体封装中的1200V高侧栅极驱动器，具有典型的2A源极和2A漏极电流。所有逻辑引脚都是5V CMOS兼容的，并且可以直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现了电流隔离的数据传输。
功能概述
单通道隔离栅极驱动器IC（1ED-F2）
适用于600 V/1200 V IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、分立器件和模块
2 A轨对轨典型输出电流
精确的DESAT保护，VCEsat检测
有源米勒箝位
主动停机和短路钳位
28 V绝对最大输出电源电压
170/165 ns典型值。传播延迟
12/11 V输出UVLO
≥100 kV/µs CMTI
优势
紧密的传播延迟匹配：容差提高了应用程序的稳健性，而不会因老化、电流和温度而发生变化
精确的集成滤波器减少了在广泛的工作条件下传播延迟的变化；减少对外部过滤器的需求
紧凑的传播延迟允许最小的死区时间，提高系统效率并减少谐波失真
宽机身封装，爬电距离为8 mm
抗负瞬态和正瞬态，提高最终产品的可靠性
用于将频率切换到MHz范围的低功率损耗
