| Parametrics | IKQ75N120CH3 |
|---|---|
| Eoff (Hard Switching) | 2.8 mJ |
| Eon | 6.4 mJ |
| IC (@ 25°) max | 150 A |
| IC (@ 100°) max | 75 A |
| ICpuls max | 300 A |
| IF max | 75 A |
| IFpuls max | 300 A |
| Irrm | 25 A |
| Ptot max | 938 W |
| Package | TO-247-3 |
| QGate | 370 nC |
| Qrr | 5100 nC |
| RG | 6 Ω |
| RGint | - |
| Switching Frequency | 18-60 kHz |
| Switching Frequency min max | 18 kHz 60 kHz |
| Technology | IGBT HighSpeed 3 |
| VCE(sat) | 2 V |
| VCE max | 1200 V |
| VF | 1.9 V |
| td(off) | 282 ns |
| td(on) | 34 ns |
| tf | 29 ns |
| tr | 47 ns |
1200 V，75 A IGBT，带TO-247封装的反并联二极管
TO-247封装中的硬开关1200V、75A高速IGBT3，与软快速恢复全电流反并联发射极控制二极管共同封装。
功能概述
高功率密度–高达75 A 1200 V IGBT与to-247封装中的75 A二极管共同封装
与to-247 3引脚相比，R th（jh）降低20%
扩展集电极-发射极引脚爬电4.25 mm
由于封装的正面完全封装，延长了夹子爬电
优势
更高的系统功率密度–在保持相同系统热性能的情况下，IC会增加
与TO-247相比，TO-247PLUS的热阻R th（jh）更低，散热能力提高了约15%
更高的可靠性，延长设备的使用寿命
