当器件内部，载流子在不连续的材料上移动时，会随机的遭遇到捕获和释放，进而产生闪烁噪声。 MOS管中栅极的氧化层与硅介质层之间，就存在不连续性。在CMOS管工艺中，闪烁噪声取决于接触面的纯度，如果从一种CMOS工艺换到另一种CMOS管工艺时，闪烁噪声的值可能会大不相同。 在饱和区时，闪烁噪声可以用与栅极级联的电压源来表示，粗略地可以表示为：

大功率光伏逆变器组成：多个 PV 电池板串联连接，实现进入逆变器输入端的高直流输入电压。 将优化器部署到相应的 PV 电池板，可获得超高效率,输出旁路电路的作用 原因：所有 PV电路板均以串联方式连接，如果任何一个太阳能电池板发生故障，则PV电池板串的电压会崩溃。

设计：主副输入电压相等，并要求输出相同电压，压降小 解决方案 用MOS场效应管导通时，低Rds特性，成本低，高效率。 此电路， Vin1 = 3.3V，Vin2电压有无不定，都由Vin1通过Q3输出电压。 Vin1断开，由Vin通过Q2输出电压 MOS管Rds小，产生压降差不多为数十mV，Vout基本等于Vin。

MOS场效应管电平转换 此电路组成：由MOS管电阻 当5V电路发送高电平时，MOS管Q1不导通，因此3.3V端的电压被上拉电阻R2拉至3.3V，为高电平。 当5V电路发送低电平时，MOS场效应管Q1导通，MOS场效应管Q1的S极变为低电平，即3.3V端变为低电平。

NMOS场效应管Q2的作用，很关键，它是用来降压稳压。 Q2工作在放大区 如NMOS场效应管Q2的Vgs Vgs=2.5V NMOS场效应管Q2的源极输出电压为： 12V-2.5=9.5V 此时B+的电压发生，一定范围的跳动也是没关系。 NMOS场效应管Q2的输出不会受影响。 注意： NMOS场效应管Q2的DS间耐压值是否承受的了。 当负载电流较大时，需要考虑此时的NMOS场效应管Q1，也会存在很大的功率，发热量会很大，因此layout要注意做好散热。

三相OBC电路中SiC MOS场效应管应用更高的开关频率，可以减小磁性元器件体积和重量，提高效率和功率密度，同时高系统母线电压，大大减少功率器件数量，便于电路设计，提高可靠性。 SiC MOS场效应管应用于大功率OBC电路图 如下图所示

为什么要用缓启动 如，热插拔时，连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳，引起电源振荡， 9或因系统大容量储能电容的充电效应，系统中会出现很大的冲击电流。 在瞬时产生的大电流，工作时产生明显的打火现象，这会引起电磁干扰，并对接插件造成腐蚀，因此需要“缓慢”上电。缓启动电路作用： 1.防抖动延时上电 2.控制输入电流的上升斜率和幅值。缓启动电路工作原理 MOS管具备低导通阻抗Rds_on和驱动简单的优势，在这基础上配合其它的元器件，就能构成缓慢启动电路。 在正电源中用PMOS，在负电源中使用NMOS 用一个NMOS管搭建的一个-48V电源缓启动电路图

电源抑制比(PSRR) 表示 LDO 滤除输入电压变化的能力,区域 1:基准和电阻器-电容器滤波器的 PSRR 区域 2:误差放大器的开环增益 区域3:场效应品体管和输出电容器的寄生电容以及相关的寄生电容(电容分压器) 寄生电容越小，交流耦合到 Vou的 V越少Cou 越大，分流到 GND 的噪声就越多相关的等效串联电感(ESL)也会影响 PSRR 性能,哪些条件不影响 PSRR 如果 VBIAs 高于最小值，则没有影响

MOS场效应管电源应用于电焊机的拓扑图 单相逆变线电路 三相逆变线电路

PMOS场效应管打开时，前级电源VCC电压会跌落 原因：VCC_3G并联一个1000uf电容，初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起。减小容值有比较小的改善，直接去掉后电压才不会跌落，但是这个储能电容又不能去掉。 解决方案 解决这个问题的关键，就在于降低大容量电容的充电速度。 1.在1000uF与PMOS管之间串联电阻或者在电容上面串联电阻； 2. 在PMOS管之前增加串联电阻； 2.降低PMOS管的开通速度，包括在GS间并联电容或者在GD间并联电容； 3.在PMOS管与电容之间串联电阻或者在电容上面串联电阻 这种方法，其实就是降低电容的充电电流，从而减小前级电源电压的跌落。