| Parametrics | IPD60R180P7S |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.64 |
| ID (@25°C) max | 18 A |
| ID max | 18 A |
| IDpuls max | 53 A |
| Mounting | SMT |
| Operating Temperature min max | -40 °C 150 °C |
| Ptot max | 72 W |
| Package | DPAK (TO-252) |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 25 nC |
| QG | 25 nC |
| Qgd | 8 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 180 mΩ |
| RDS (on) max | 180 mΩ |
| Rth | 1.74 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1.74 K/W |
| Special Features | price/perance |
| VDS max | 600 V |
| VGS(th) min max | 3.5 V 3 V 4 V |
优化的超结MOSFET将高能效与易用性结合在一起
600V CoolMOS™ P7超级结（SJ）MOSFET是600V CoolMOS的继任者™ P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效率的需求和易用性。同类最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅极电荷（QG）™ 第7代平台确保了其高效率。
功能概述
效率：600V P7可实现出色的FOM R DS（开启）xE oss和R DS（打开）xQ G
易用性：ESD坚固性≥2kV（HBM 2级）
集成栅极电阻器R G
坚固体二极管
贯穿孔和表面安装封装的广泛产品组合
可提供标准级和工业级零件
优势
效率：出色的FOMs R DS（开启）xQ G/R DS（打开）xE oss实现更高的效率
易用性：通过阻止ESD故障的发生，在制造环境中易于使用
集成RG降低MOSFET振荡灵敏度
MOSFET适用于硬和谐振
