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    IPD60R180P7S


    品牌:INFINEON(英飞凌)
    封装:18+
    批号:TO-252
    参数
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    • 型号
    • 品牌
    • 数量
    特性和应用
    Parametrics IPD60R180P7S
    Budgetary Price €/1k 0.64 
    I(@25°C)   max 18 A
    I  max 18 A
    IDpuls   max 53 A
    Mounting SMT
    Operating Temperature   min  max -40 °C   150 °C
    Ptot   max 72 W
    Package DPAK (TO-252)
    Pin Count 3 Pins
    Polarity N
    QG (typ @10V) 25 nC
    QG 25 nC
    Qgd 8 nC
    RDS (on) (@10V)   max 180 mΩ
    RDS (on)   max 180 mΩ
    Rth 1.74 K/W
    RthJA   max 62 K/W
    RthJC   max 1.74 K/W
    Special Features price/perance
    VDS   max 600 V
    VGS(th)   min  max 3.5 V   3 V   4 V

     

     

     

    优化的超结MOSFET将高能效与易用性结合在一起

    600V CoolMOS™ P7超级结(SJ)MOSFET是600V CoolMOS的继任者™ P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效率的需求和易用性。同类最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅极电荷(QG)™ 第7代平台确保了其高效率。

    功能概述

    效率:600V P7可实现出色的FOM R DS(开启)xE oss和R DS(打开)xQ G

    易用性:ESD坚固性≥2kV(HBM 2级)

    集成栅极电阻器R G

    坚固体二极管

    贯穿孔和表面安装封装的广泛产品组合

    可提供标准级和工业级零件

     

    优势

    效率:出色的FOMs R DS(开启)xQ G/R DS(打开)xE oss实现更高的效率

    易用性:通过阻止ESD故障的发生,在制造环境中易于使用

    集成RG降低MOSFET振荡灵敏度

    MOSFET适用于硬和谐振

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