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| Parametrics | IPW60R099P7 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 2.42 |
| ID (@25°C) max | 34 A |
| ID max | 34 A |
| IDpuls max | 100 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 117 W |
| Package | TO-247 |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 45 nC ; 45 nC |
| QG | 45 nC ; 45 nC |
| Qgd | 13 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 99 mΩ |
| RDS (on) max | 99 mΩ |
| Rth | 1.07 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1.07 K/W |
| Special Features | price/perance |
| VDS max | 600 V |
| VGS(th) min max | 3.5 V 3 V 4 V |
优化的超结MOSFET将高能效与易用性结合在一起
600V CoolMOS™ P7超级结（SJ）MOSFET是600V CoolMOS的继任者™ P6系列。在设计过程中，它继续在高效需求和易用性之间取得平衡。同类最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅极电荷（QG）™ 第7代平台保证了其高效率。
功能概述
效率
600V P7可实现出色的FOM R DS（开启）xE oss和R DS（打开）xQ G
易用性
ESD耐用度≥2kV（HBM 2级）
集成栅极电阻器R G
坚固体二极管
贯穿孔和表面安装封装的广泛产品组合
可提供标准级和工业级零件
优势
效率出色的FOMs R DS（开启）xQ G/R DS（打开）xE oss实现更高的效率
易用性
通过阻止ESD故障的发生，在制造环境中易于使用
集成RG降低MOSFET振荡灵敏度
MOSFET适用于硬开关拓扑和谐振开关拓扑，如PFC和LLC
LLC拓扑结构中的体二极管硬换向期间具有优异的坚固性
适用于各种终端应用和输出功率
适用于消费和工业应用的零件
应用
电视电源
工业SMPS
服务器
电信
照明
