3008038871
服务热线
0755-83212595
| Parametrics | IKW50N65EH5 |
|---|---|
| Eoff (Hard Switching) | 0.5 mJ |
| Eon | 1.5 mJ |
| IC (@ 25°) max | 80 A |
| IC (@ 100°) max | 50 A |
| ICpuls max | 200 A |
| IF max | 80 A |
| IFpuls max | 200 A |
| Irrm | 17 A |
| Ptot max | 275 W |
| Package | TO-247-3 |
| QGate | 120 nC |
| Qrr | 1100 nC |
| RG | 12 Ω |
| RGint | - |
| Switching Frequency min max | 30 kHz 100 kHz |
| Switching Frequency | TRENCHSTOP™5 30-100 kHz |
| Technology | IGBT TRENCHSTOP™ 5 |
| VCE(sat) | 1.65 V |
| VCE max | 650 V |
| VF | 1.35 V |
| td(off) | 172 ns |
| td(on) | 25 ns |
| tf | 35 ns |
| tr | 29 ns |
高速650V，硬开关IGBT TRENCHSTOP™ 5与RAPID 1快速软反并联二极管共同封装在TO-247封装中，被定义为“同类最佳”IGBT。
功能概述
650 V击穿电压
与同类中最好的HighSpeed 3系列相比
系数2.5较低Qg
开关损耗降低系数2
VCEsat降低200mV
与Rapid Si二极管技术共同封装
COES/EOSS低
轻度正温度系数VCEsat
Vf的温度稳定性
优势
一流的效率，从而降低结和
外壳温度可提高设备可靠性
在不影响的情况下，总线电压可能增加50 V
可靠性
更高的功率密度设计
