工作原理

两个用于管理充电和放电的N沟道功率MOS场效应管放置在接地端，漏极背靠背连接，这是PCM的常见方案之一，如下图所示，其中，Q1是用于电池放电的功率MOS场效应管，Q2是用于电池充电的功率MOSFET，B+是电池的正极，B-是电池的负极，P+是电池组的正极，P-是电池组的负极，VSS是电池保护管理IC的接地，即电池的负极，VSS和Q1的电源连接。在PCM板工作之前，Q1和Q2都关闭。

充电

充电时，控制IC栅极向充电功率MOSFET（Q2）提供驱动信号CO，Q2栅极的驱动信号路径为：
外部充电电路的正端→
P+→B+→R1→VDD→CO→Q2源
→P-→外部充电电路的负极。

当Q2接通时，充电电流路径为：
P+→B+→B-→Q1内部寄生二极管
→Q2通道→P-。
然后可以对电池充电。

Q2接通时的充电回路

 

为了减少Q1的损耗，当Q2开启时，将控制IC的DO引脚拉高，以使放电功率MOSFET Q1开启。由于Q1的RDS(ON)较低，其传导损耗远低于寄生二极管，充电效率可以提高。当Q2和Q1同时处于on状态时，
充电电流路径为：
P+®B+  B-  Q1通道Q2通道P-。

 

放电

放电时，控制IC向放电功率MOS场效应管（Q1）提供栅极驱动信号DO，Q1的栅极驱动信号路径为：VDD®DO（驱动器输出）Q1栅®Q1源®B-®VSS。

当Q1为on时，
放电电流路径为：
P→Q2内部寄生二极管→Q1
通道→B-→B+→P+。
然后可以对电池进行放电。

Q1开启时的放电回路

为了减少Q2的损耗，当Q1开启时，控制IC向充电功率MOS场效应管 Q2提供栅极驱动信号CO，从而开启Q2，Q1和Q2同时处于开启状态。