MOS管电容自举驱动电路IC内部图
自举电容电路

基于IC驱动半桥开关电路，驱动IC内部半桥输出拓扑：

1.Q1关断，Q2打开，Q2栅极电压=VCC；

2.Q2导通，Q1关断，Q1源极电压≈0V，

此时VCC电压通过Rboot→Dboot→Cboot→Q2-GND，对自举电容Cboot进行充电；
 

3. Q2充满电，Q2关断，打开Q1，Q1源极和GND断开，相当于浮空

电容特性：它两端电压不能突变

此时VB电压≈200V高压+电容两端的电压
即200+Vc_boot
这么高电压，如果和15V电压连通，可想而知

自举二极管Dboot作用:防止高压和15V短路。

此时高压会经过VB→HO→R1→Q1的栅极

即通过自举电路抬高Q1栅极电压

MOS管电容自举驱动电路IC内部图