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- 开放漏极增强MOS场效应管电路分析-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管的源极s端子直接连接到地或供电轨，而漏极开路D端子连接到外部负载。当驱动功率负载或连接到更高电压源的负载时，使用MOS场效应管或IGBT作为开漏（OD）器件遵循与开集电极输出OC相同的要求，因为应用了上拉或下拉电阻器。唯一的区别是MOSFET通道的热功率额定值和静态电压保护。
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- 集电极晶体管电路开路-晶体管知识-竟业电子
- 开路集电极开关电路的典型布置，其可用于驱动机电型器件以及许多其他开关应用。NPN晶体管基极驱动电路可以是任何合适的模拟或数字电路。晶体管的集电极连接到要切换的负载，晶体管的发射极端子直接连接到地。
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- MOS场效应管作为开关用于控制负载和CMOS数字电路-竟业电子
- MOS场效应管是非常不错的电子开关，可用于控制负载和CMOS数字电路
原因：它工作在截止区和饱和区之间。
N沟道增强型MOSFET即e-MOS场效应管
工作用正输入电压，具有极高的输入电阻，几乎无限大
当与几乎任何能够产生正输出的逻辑门或驱动器接口时，可以将MOSFET用作开关。
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- N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构和符号-场效应管知识-竟业电子
- N沟道耗尽型场效应管的结构和符号
它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。
当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。
当UGS>0时，将使ID进一步增加。
当UGS<0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。
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