| Parametrics | IPP65R110CFDA |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 3.66 |
| ID (@25°C) max | 31.2 A |
| IDpuls max | 99.6 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 277.8 W |
| Package | PG-TO220-3 |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) max | 118 nC |
| QG | 118 nC |
| Qualification | Automotive |
| RDS (on) max | 110 mΩ |
| RDS (on) (@10V) max | 110 mΩ |
| Rth | 0.45 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 0.45 K/W |
| Special Features | automotive |
| Technology | CoolMOS™ CFDA |
| Topology | Full Bridge |
| VDS max | 650 V |
| VGS(th) max | 4.5 V ; 3.5 V |
650V，N-通道，110米Ω max，汽车MOSFET，TO-220，CoolMOS™ CFDA
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction（SJ）MOSFET是英飞凌的第二代市场领先的汽车合格高压CoolMOS™ 功率MOSFET。除了众所周知的汽车行业所需的高质量和可靠性外，650V CoolMOS™ CFDA系列还提供了一个集成的快体二极管。
功能概述
市场上首个采用集成快体二极管的650V汽车合格技术
硬换向期间的有限电压过冲——自限di/dt和dv/dt
低栅极电荷值Q g
体二极管重复换向时的低Q rr和低Q oss
减少开启和开启延迟时间
符合AEC Q101标准
优势
更高的击穿电压增加了安全裕度
减少EMI外观，易于设计
更好的轻载效率
降低开关损耗
可能有更高的开关频率和/或更高的占空比
高质量和可靠性
