双极结晶体管和场效应管区别

双极结晶体管的端子标记为集电极、发射极和基极

MOS场效应管的端子分别标记为漏极、源极和栅极。

 

MOS场效应管与双极结晶体管区别

MOS场效应管：栅极和沟道间没有直接连接

 

双极结晶体管：基极-发射极结

因为金属栅电极与导电沟道电绝缘，其次要名称为绝缘栅场效应晶体管（insulated gate Field Effect Transistor，简称IGFET）。

 

对于n沟道MOS场效应管，衬底上方的半导体材料是p型，而源极和漏极是n型，电源电压将为正。

 

将栅极端子偏置为正将栅极区域下方的p型半导体衬底内的电子吸引向栅极端子。

p型衬底内自由电子的过度丰富导致导电沟道作为电本体出现或生长