晶体管的操作条件是零输入栅极电压（VIN）、零漏极电流ID和输出电压VDS＝VDD。因此，对于增强型MOSFET，导电沟道是闭合的，并且器件被切换为“OFF”。

输入和栅极接地（0v）

1.栅极-源极电压低于阈值电压VGS

2.MOSFET处于“OFF”（截止区域）

3.无漏极电流（ID=0）

4.VOUT=VDS=VDD=“1”

5.MOS场效应管作为“开路开关”运行

当使用e-MOS场效应管作为开关时，可将截止区或“截止模式”定义为存在、栅极电压、VGS＜VTH和ID＝0。对于P沟道增强型MOSFET，栅极电势必须相对于源极为正。