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Parametrics | BSC030N08NS5 |
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Budgetary Price €/1k | 0.89 |
Ciss | 4300 pF |
Coss | 700 pF |
ID (@25°C) max | 161 A |
IDpuls max | 644 A |
Mounting | SMD |
Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
Ptot max | 139 W |
Package | SuperSO8 5x6 |
Pin Count | 8 Pins |
Polarity | N |
QG (typ @10V) | 61 nC |
RDS (on) (@10V) max | 3 mΩ |
Rth | 0.9 K/W |
RthJA max | 50 K/W |
RthJC max | 0.9 K/W |
VDS max | 80 V |
VGS(th) min max | 3 V 2.2 V 3.8 V |
用于电信应用的5功率MOSFET 80V
OptiMOS™ 5 80V功率MOSFET,专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外,该设备还可以用于其他工业应用,如太阳能、低压驱动器和适配器。在七种不同的封装中,OptiMOS™ 5个80 V MOSFET提供业界最低的RDS(导通)。此外,与上一代相比,OptiMOS™ 5 80 V具有高达43%的RDS(开启)降低。
功能概述
针对同步整流进行了优化
非常适合高开关频率
输出电容降低高达44%
RDS(开启)比上一代减少了43%
优势
最高的系统效率
降低了开关和传导损耗
所需并联更少
功率密度增加
低压过冲
应用:电信,服务器,太阳能,低压驱动器,适配器