| Parametrics | BSC0702LS |
|---|---|
| Ciss | 3300 pF |
| Coss | 670 pF |
| ID max | 100 A |
| IDpuls max | 400 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 83 W |
| Package | SuperSO8 |
| Pin Count | 8 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 43 nC |
| QG (typ @4.5V) | 24 nC |
| RDS (on) (@4.5V LL) max | 3.9 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) max | 3.9 mΩ |
| RDS (on) (@10V) max | 2.7 mΩ |
| Rth | 1.5 K/W |
| RthJA max | 50 K/W |
| RthJC max | 1.5 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) (typ) min max | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
OptiMOS™低压功率MOSFET-完美满足充电器和适配器设计的需求
OptiMOS™ PD功率MOSFET是英飞凌针对USB-PD和适配器应用的产品组合。这些产品提供快速提升和优化的交付周期。光学MOS™ 用于功率输送的低电压MOSFET实现了具有较少部件的设计，从而降低了BOM成本。光学MOS™ PD采用具有同类最佳性能的优质产品，以紧凑、轻便的封装实现差异化设计。
功能概述
逻辑级可用性
低导通状态电阻RDS（接通）
低栅极、输出和反向恢复电荷
优异的热性能
有两种小型标准包装可供选择
优势
快速报价响应
最高效率和功率密度设计
紧凑、轻便、环保的产品
卓越的性价比
应用
USB局部放电
USB充电器
适配器
