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Parametrics | IPW65R080CFD |
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Budgetary Price €/1k | 4.73 ; 4.73 |
ID (@25°C) max | 43.3 A |
ID max | 43.3 A |
IDpuls max | 137 A |
Mounting | THT |
Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
Ptot max | 391 W |
Package | TO-247 |
Polarity | N |
QG (typ @10V) | 170 nC |
QG | 170 nC |
RDS (on) (@10V) max | 80 mΩ |
RDS (on) max | 80 mΩ |
Rth | 0.32 K/W |
RthJA max | 62 K/W |
RthJC max | 0.32 K/W |
Special Features | fast recovery diode |
VDS max | 650 V |
VGS(th) min max | 4 V 3.5 V 4.5 V |
650V CoolMOS的更换™ CFD2为600V CoolMOS™ CFD7
650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的MOSFET。CFD2装置是600V CFD的继任者,具有改进的能源效率。与竞争对手的零件相比,较软的换向行为以及因此更好的EMI行为使该产品具有明显的优势。
功能概述
650V技术,集成快体二极管
硬换向期间的有限电压过冲
与600V CFD技术相比,Qg显著降低
最大RDS(开启)比典型RDS(开启
易于设计
与600V CFD技术相比价格更低
优势
由于体二极管重复换向时的低Qrr,开关损耗低
自限di/dt和dv/dt
低Qoss
减少开启和开启延迟时间
杰出的CoolMOS™ 质量
应用
电信
服务器
太阳的
HID灯镇流器
LED照明
电动汽车