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Parametrics | BSC070N10NS3 G |
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Budgetary Price €/1k | 0.78 |
Ciss | 3000 pF |
Coss | 520 pF |
ID (@25°C) max | 90 A |
IDpuls max | 360 A |
Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
Ptot max | 114 W |
Package | SuperSO8 5x6 |
Polarity | N |
QG (typ @10V) | 42 nC |
RDS (on) (@10V) max | 7 mΩ |
Rth | 1.1 K/W |
VDS max | 100 V |
VGS(th) min max | 2.7 V 2 V 3.5 V |
英飞凌100V OptiMOS™ 功率MOSFET为高效率、高功率密度SMPS提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比,该系列在R DS(on)和FOM(品质因数)方面都减少了30%。
功能概述
出色的切换性能
全球最低R DS(开)
非常低的Q g和Q gd
优秀的栅极电荷x R DS(on)产品(FOM)
符合RoHS标准,无卤素
MSL1额定值2
优势:环境友好型,提高了效率,最高功率密度,所需并联更少,最小的板空间消耗,易于设计的产品
应用
交直流开关电源的同步整流
48V–80V系统(即家用车辆、电动工具、卡车)的电机控制
隔离DC-DC转换器(电信和数据通信系统
48V系统中的开关和断路器
D类音频放大器
不间断电源(UPS)