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- MOS场效应管过电压电流混合失效损坏-MOS场效应管应用-竟业电子
- 电压失效形态：硅片中间某位置产生击穿洞，即热点；
原因：过压产生雪崩击穿，过压MOS场效应管内部寄生三极管导通，
因三极管有负温度系数特性
局部流过三极管电流大，温度高，
温度高，流过电流大，致器件内部形成局部热点损坏；
硅片中间区域散热条件最差，也易产生热点。损坏位置在S极，靠近G极
原因：电容能量放电形成大电流，全流过MOS场效应管，即全部电流汇集在S极，温度最高，易损坏；
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- MOS场效应管应用于热插拔注意事项-MOS场效应管知识-竟业电子
- 突然断开电源与其负载，流过电路寄生电感元件大电流摆动产生巨大尖峰电压，会损坏元件，
因此，用MOS场效应管来隔开输入电源与其他电路，以减轻具有破坏力浪涌电流带来的损失，通过控制器调节输入电压+输出电压间MOS场效应管栅源偏压，让其在饱和状态，防止电流通过。
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- CMOS场效应管求和比较器电路结构-MOS场效应管应用-竟业电子
- CMOS场效应管求和比较器电路结构
如下图所示
求和比较器结构是折叠式；
组成从M 1-M 6组成3对差分对；
电流和比较实现3组电压和的比较；
M 1+ M 3 +M 5形成电流：m 16-m 17折叠→输出缓冲电流镜m 15漏端；
M 2+ M 4+M 6 形成电流：m 18-m 19折叠→输出缓冲电流镜m 14漏端→
MOS场效应管m9得信号R。
信号R=脉冲宽度调制信号
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- MOS场效应管连续漏极电流-MOS场效应管应用-竟业电子
- MOS场效应管连续漏极电流符号ID，它是一个计片值，封装一定+芯片大小一定，如：底部有裸露铜皮封装DPAK，TO220，D2PAK，DFN5*6，元件结到裸露铜皮热阻RθJC值确定。
硅片最大工作结温TJ，裸露铜皮温度TC，常温25℃
得元件允许最大功耗PD，RDS(ON)_TJ(max) 最大工作结温TJ的导通电阻
硅片允许最大工作结温=150℃
电流基于最大结温计算值
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- 负载电流优化Mos场效应管-Mos场效应管应用-竟业电子
- 优化Mos场效应管用何种负载电流
负载范围内实现均衡效率，那要查看四象限SR元伯优化表，对应Mos场效应管电流作选择。
满负载优化方式
输出电流高，实现效率好，低负载时，效率降低，且增加并联Mos场效应管数量，不可为之。
得到Mos场效应管电流最优值，整个输出电流范围内，实现相对恒定效率值。
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- MOS场效应管的重要参数-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管=金属氧化物半导体场效应管
组成：金属+氧化物SiO2或SiN)+半导体
功率MOSFET即Power MOSFET：输出大工作电流，应用于功率输出级，工作电流=几安~几十安
MOS场效应管的重要参数
最大耐压+最大电流能力+导通电阻RDSON
导通电阻RDSON
它是这三个参数的最生要的一个参数，电阻越小，导损耗越小；
MOS场效应管总损耗=导通电阻造成导通损耗+闸极电荷造成驱动电路上损耗切换损耗+输出电容在截止或导通过程中造成功率MOSFET储能耗能
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- PMOS场效应管变容高频及准静态特性-MOS场效应管应用-竟业电子
- PMOS场效应管变容高频特性建模
晶体管级电路模拟仿真用Candence Spectre及HSpice，据晶体管静态条件，建模型容易对PMOS场效应管变容管准静态特性获取，无法获取高频特性.
根据MOS场效应管变容管准静态特性基本参数
用特性曲线拟合对PMOS场效应管高频特性建模
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- MOS场效应管驱动器应用于电机控制-MOS场效应管应用-竟业电子
- MOS场效应管驱动器应用于电机控制时，如何选择适合电子元器件。功率开关器件选择
由被驱动电机额定功率决定，启动电流值最高=稳态工作电流值*3
选择的器件：MOS场效应管与IGBT,元件输入级，把输入低电压信号转化成电压覆盖全范围信号
Q1=MOSFET驱动器上拉输出驱动器级
Q2=MOSFET驱动器下拉输出驱动器级
MOSFET驱动器输出级=一个推挽对
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- MOS场效应管结构与对应等效电路图-MOS场效应管应用-竟业电子
- 元件每部分存在电容+MOS场效应管并联二极管1个+寄生晶体管1个
MOS场效应管动态特性重要因素
MOS场效应管结构带本征二极管，它具有雪崩能力。
雪崩能力=单次雪崩能力+重复雪崩能力
反向di/dt大，二极管承受快速度脉冲尖刺，可能进入雪崩区，超过雪崩能力，即元件损毁。
任一种PN结二极管，动态特性复杂，与PN结正向时导通反向，阻断概念不同。
电流迅速下降，二极管一阶段失去反向阻断能力，即反向恢复时间。
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- 电源IC直接驱动MOS场效应管能力不足解决方案-竟业电子
- 电源IC直接驱动MOS场效应管
这是一种最简单的驱动方式，不同芯片，驱动能力不同，MOS场效应管有寄生电容；
C1与C2值大，MOS场效应管导通时需要大能量，若电源IC驱动峰值电流不够大，MOS场效应管导通速度慢，驱动能力不足，上升沿高频振荡，即Rg值减小，也无能为力；
Rg值选择由电源IC驱动能力+MOS寄生电容值+MOS场效应管开关速度决定；
选择大的MOS场效应管寄生电容，电源IC内部驱动能力不足，用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，如下图虚线部份
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