过电压或电流失效损坏

过电压或电流损坏MOS场效应管去塑料外壳

过电压损坏如下图所示

过电压失效形态：硅片中间某位置产生击穿洞，即热点；

原因：过压产生雪崩击穿，过压MOS场效应管内部寄生三极管导通，

因三极管有负温度系数特性

局部流过三极管电流大，温度高，

温度高，流过电流大，致器件内部形成局部热点损坏；

硅片中间区域散热条件最差，也易产生热点。

 

过电流损坏如下图所示

损坏位置在S极，靠近G极

原因：电容能量放电形成大电流，全流过MOS场效应管，即全部电流汇集在S极，温度最高，易损坏；

MOS场效应管内部如下图所示

组成：多单元并联

右图：等效电路

开通过程，G极附近区域，电压VGS高，过电流大，在瞬态开通过程，承担大电流，离G极近S极区域，温度高，过流易损坏；

 

 

MOS场效应管过电压电流混合失效损坏

当元器件应用于实际中，单一的过电压和电流损坏不易，一般情况是发生在过电流后，因

系统过流保护电路工作中，关断MOS场效应管过程中发生雪崩即过压。

当MOS场效应管发生过流，进入雪崩发生过压损坏形态，它的形式与过流损坏是相似的，不过一般过压发生在S极附近，特殊情况下可能因过压产生击穿洞坑，即会离S极较远。

在G极较远处，瞬态关断过程中，电压VGS高，即电流大，易发生器件损坏。

 

 

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