电池充放电保护电路中，过电流或负载短线，电路关断MOS场效应管，避免电池放电。

但MOS场效应管关断速度非常缓慢，

 

看VGS波形，米勒平台时间=5ms，期间，MOS场效应管工作在放大状态，即线性区。

MOS场效应管开始工作在线性区，它是负温度系数，局部单元区域发生过流，产生局部热点，温度高，电流大，温度再增加，过热损坏。

破位位置离G极远，损坏发生关断过程，破位位置在中间区域，散热条件最差区域。

器件内部，局部性能弱单元，封装形式和工艺对破位位置产生影响。

 

失效形态

 

电子系统启动过程，芯片VCC电源，MOS场效应管驱动电源建立比较慢

如：照明中，PFC电感绕组给PWM控制芯片供电，启动过程，器件因驱动电压不足，易进入线性区工作。

动态老化测试，器件不断进入线性区工作，一段时间，即形成局部热点损坏。

 

AOT5N50测试，在G极上加驱动电压5V，开关机反复测试，ID=3  工作频率=8Hz ，反复450次，MOS场效应管损坏。

如下图所示

 

失效波形

 

 

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