开关MOS场效应管电阻损耗计算表达式

不同负载系数和

RDS(ON) HOT ：PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS(ON) HOT]×(VOUT/VIN)

因它依赖难以定量+不在规格参数范围对开关产生影响，计算开关MOS场效应管损耗有些难，只能计算大概值评估器件，然后在实验室进行验证

PDSWITCHING=(CRSS×VIN2×fSW×ILOAD)/IGATE

 

CRSS=MOS场效应管反向转换电容

fSW=开关频率

IGATE=器件启动阈值处MOS场效应管栅极驱动吸收电流的源极电流

 

根据器件的成本，缩小选择范围到特定MOS场效应管，在选择最小中功率耗散，即选择具有相等开关损耗和电阻损耗型号。

1.选择更快，更小，则电阻损耗增加幅度 > 开关损耗减小幅度。

2.选择RDS(ON)，低更大，则开关损耗增加幅度 > 电阻损耗减小幅度。

若：VIN变化，同时计算在VIN(MAX)+VIN(MIN)两处，开关MOS场效应管功率耗散。

 

MOS场效应管最坏情况，耗散会在最小或最大输入电压处。

耗散=VIN(MIN)最大电阻耗散+VIN(MAX)最大开关耗散

 

理想选择：在VIN极值处的耗散

原因：VIN范围内电阻耗散和开关耗散；

 

VIN(MIN)时耗散高，主要是电阻损耗，此时，选择大开关MOS场效应管，或并联多个达到低RDS(ON)值。

VIN(MAX)时耗散高，选择减小开关MOS场效应管尺寸，即可让开关速度加快；

 

电阻和开关损耗平衡

输入电压范围设置：开关频率改变，即开关损耗降低，开关MOS场效应管可能有更大，更低RDS(ON)值。

 

 

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