MOS场效应管=金属氧化物半导体场效应管

组成：金属+氧化物SiO2或SiN)+半导体

功率MOSFET即Power MOSFET：输出大工作电流，应用于功率输出级，工作电流=几安~几十安

 

MOS场效应管的重要参数

最大耐压+最大电流能力+导通电阻RDSON

 

导通电阻RDSON

它是这三个参数的最生要的一个参数，电阻越小，导损耗越小；

MOS场效应管总损耗=导通电阻造成导通损耗+闸极电荷造成驱动电路上损耗切换损耗+输出电容在截止或导通过程中造成功率MOSFET储能耗能

 

性能测量基准品质因数FOM

FOM = RDS(ON)×Qg

Qg=直接关系到开关损耗

元件性能好，说明有着低FOM值。

 

英飞凌infineon高效低损耗MOS场效应管

SuperS0840V、60V无铅封装

80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET系列

 

 

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