电源IC直接驱动MOS场效应管

这是一种最简单的驱动方式

电路图如下所示

不同芯片，驱动能力不同，MOS场效应管有寄生电容；

 

C1与C2值大，MOS场效应管导通时需要大能量，若电源IC驱动峰值电流不够大，MOS场效应管导通速度慢，驱动能力不足，上升沿高频振荡，即Rg值减小，也无能为力；

 

Rg值选择由电源IC驱动能力+MOS寄生电容值+MOS场效应管开关速度决定；

选择大的MOS场效应管寄生电容，电源IC内部驱动能力不足，用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，如下图虚线部份

 

 

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