MOS场效应管结构与对应等效电路图

如下所示

元件每部分存在电容+MOS场效应管并联二极管1个+寄生晶体管1个

MOS场效应管动态特性重要因素

 

MOS场效应管结构带本征二极管，它具有雪崩能力。 

雪崩能力=单次雪崩能力+重复雪崩能力

反向di/dt大，二极管承受快速度脉冲尖刺，可能进入雪崩区，超过雪崩能力，即元件损毁。

任一种PN结二极管，动态特性复杂，与PN结正向时导通反向，阻断概念不同。

电流迅速下降，二极管一阶段失去反向阻断能力，即反向恢复时间。

 

请求PN结迅速导通，一段时间内不显示低电阻，MOS场效应管中二极管有正向注入，

少数载流子增加，多子MOS场效应管会变的复杂。

设计MOS场效应管，特别注意要让寄生晶体管无效，原则让漏极下横向电阻RB值小，

 

原因：流过漏极N区下横向电阻电流足够，此N区建立正偏条件，寄生双极性晶闸管开始有阻碍，此动态下，dv/dt过对应电容，会让横向电流值很大，寄生双极性晶体管起动，MOS场效应管损毁，

 

考虑瞬态性能，即要注意MOS场效应管内部电容。

电容：dv/dt通道

 

 

 

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