CMOS场效应管求和比较器电路结构

如下图所示

 

求和比较器结构是折叠式；

组成从M 1-M 6组成3对差分对；

电流和比较实现3组电压和的比较；

M 1+ M 3 +M 5形成电流：m 16-m 17折叠→输出缓冲电流镜m 15漏端；

 

M 2+ M 4+M 6 形成电流：m 18-m 19折叠→输出缓冲电流镜m 14漏端→

MOS场效应管m9得信号R。

信号R=脉冲宽度调制信号

 

 

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