PMOS场效应管变容高频特性建模

晶体管级电路模拟仿真用Candence Spectre及HSpice，据晶体管静态条件，建模型容易对PMOS场效应管变容管准静态特性获取，无法获取高频特性.

 

根据MOS场效应管变容管准静态特性基本参数

用特性曲线拟合对PMOS场效应管高频特性建模

如下图所示

 

VBG变化Cv变化，高频特性曲线

如：双曲正切函数曲线

曲线关键点(-∞，Cox)，(VT，Cmin’)，引入电容变化指数γ，再拟合此特性曲线

PMOS场效应管高频变容VBG～CV特性模型函数即如下：

 

 

 

变容管准静态特性Hspice仿真

 

基本参数要获取，要用方便和理论分析特性曲线作对比，Charted 0．35μm工艺库，Hspiee

对变容器与以固定电容器相串联，此变容器连接PMOS场效应管，离散+系列静态偏压，

 

分压不断获得PMOS场效应管变容器容值及对应偏压。

 

仿真，PMOS场效应管

L=1μ   W=7．1μm

不断获得仿真准静态拟合曲线

如下图所示

 

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