MOS场效应管连续漏极电流符号ID，它是一个计片值，封装一定+芯片大小一定，如：底部有裸露铜皮封装DPAK，TO220，D2PAK，DFN5*6，元件结到裸露铜皮热阻RθJC值确定。

硅片最大工作结温TJ，裸露铜皮温度TC，常温25℃

得元件允许最大功耗PD

MOS场效应管流过最大连续漏极电流，此时最大功耗计算表达式

二式联立，最大连续漏极电源ID计算公式

RDS(ON)_TJ(max) 最大工作结温TJ的导通电阻

硅片允许最大工作结温=150℃

电流基于最大结温计算值

 

热阻RθJC需测量，把MOS场效应管安装在1平方英寸2oz铜皮PCB上，底部有裸露铜皮封装，

如下图所示

 

无裸露铜皮封装，则RθJC改变成RθJL，RθJL，即结到管脚热阻，它则是芯片内部与衬底相连。

在数据表中，脉冲漏极电流IDM，续漏极电流ID，雪崩电流IAV额定值，在实际应用中应该要考虑的因素和选择原则。