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- MOS场效应管击穿电压分析-MOS场效应管应用-竟业电子
- 击穿电压
80年代末MOS场效应管BVDSS漏源击穿电压在400V~1000V已到极至，随着Rds（ON）改善，大封装靠硅晶片面积增大达到效果，
PLANER缺点：Rds（ON）迅速上升，Rds（ON）∝BV2.6，功耗增大，MOS场效应管高压发展已经瓶颈。
双极性晶体管
用少子PLANER导电，MOS场效应管易做到高压，饱和开关时，集电极区阻抗电导调制效应，Rce（sat）降低，但是MOS场效应管并没有电导调制效应Rce（sat）∝BV2 。
如下图所示
ZETEX 3rd 晶体的Rce（on） vs BV
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- MOS场效应管开关模型分析-MOS场效应管应用-竟业电子
- MOS场效应管驱动器功耗：
1. MOS场效应管栅极电容充电和放电产生的功耗。
与MOS场效应管栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。
2. MOS场效应管 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。
高电平时和低电平时的静态功耗。
3. MOS场效应管驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。
MOS场效应管驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。
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- MOS场效应管功率开关栅级驱动器芯片损坏分析-竟业电子
- 栅级驱动器封装，对不同开关和不同测试条件，芯片有着相似损坏。
电压=750 V，试验IGBT爆炸+限流器件Rg+DZ损坏；
只看到引脚VDDA线焊位置附近小范围熔化，损坏阶段，栅级过电流通过内置P-MOS场效应管二极管流入 100 μF 电容，过电流，线焊附近区域熔化。
驱动器芯片没有进一步损坏，控制芯片也没有出现进一步的隔离损坏。试验：熔融区域，直接将150 V高压施加于驱动器芯片，控制芯片电隔离通过本次极端过载试验。
如上图1，试验8期间：损坏位置 ADuM4223 #1，输出芯片表面有一小块烧坏，隔离栅没有受损；
上图2，试验9期间：损坏位置ADuM4223 #2，极端电气过载时控制芯片没有损坏，隔离栅没有受损。
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- 控制MOS场效应管损坏程度测试电路-MOS场效应管应用-竟业电子
- MOS场效应管驱动器电气过载测试，即EOS测试；
因此建接近实际情况电路；
此电路含有应用于5 kW~20 kW逆变器的电容和电阻。
用2 W额定功率金属电阻应用于轴向型栅极电阻Rg。
用阻流二极管D1是为了不让电流从高压电路反向进入外部电源。
可反应出实际情况，要组成自举电路，浮动电源至少包括一个整流器即可，
电解电容块充电：是高压电源HV通过充电电阻Rch+开关S1的电路
实施EOS测试
控制输入VIA或VIB，用500μs开启信号；
开启信号通过微隔离传输，会造成短路，并损毁功率晶体管T1。
若在一定情况时，会出现晶体管封装爆炸。
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- MOS场效应管电流电压与米勒平台时间关系分析-竟业电子
- 米勒平台时间，GS电容+Cgd电容+Id+Vd+驱动电流Igs+Layout回路大小+板级走线+MOS场效应管内部电感影响GS电流回路。
受影响即Vgs波形容易发生震荡。米勒电容Cgd大小，受漏极电压Vd影响
Vd电压越高，Cgd越大；
Vd电压越低，Cgd越小；
Vd电压间接影响GS电流
Vd电压高，受米勒电容影响越大。
高压MOS场效应管，Vd越大Id电流越小，即米勒电容大，DS电流小，导通后即容易震荡。
低压MOS场效应管，Vd电压低，米勒电容小，Id电流大，关断易震荡。
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- 英飞凌infineon IRF3205S优势及参数-MOS场效应管知识-竟业电子
- 英飞凌infineon MOS场效应管IRF3205S优势
宽SOA的平面单元结构
为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化
符合JEDEC标准的产品鉴定
硅优化应用开关低于100千赫
工业标准表面贴装电源组件
高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸）
能被波浪焊接的
D2-Pak封装中的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET
为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化
符合JEDEC标准的产品鉴定
为10V栅极驱动电压优化（称为正常电平）
工业标准表面贴装电源组件
高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸）
能被波浪焊接的
英飞凌infineon MOS场效应管 IRF3205S参数 Datasheet下载
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- MOS场效应管在工业雪崩中作用及MOS场效应管元件物理-竟业电子
- MOS场效应管操作期间，漏电感存储能量。
若电感没有正确钳位，MOS场效应管关断时，过初级开关让漏电感通放电，或致雪崩操作，雪崩故障模式：功率半导体元件设计在有限时间内承受一定量雪崩电流，可达雪崩额定值。
功率 MOS场效应管元件物理
半导体元件一般都含物理设计固有寄生元件，MOS场效应管组件：电容器+电阻器+体二极管+ NPN序列（即BJT）
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- MOS场效应管二极管正向电压及功率耗散-竟业电子
- MOS场效应管二极管VF正向电压在规定源电流下，产生体二极管最大正向压降。
如下图所示
p－n结：Tj＝25 ℃ 或Tj＝150 ℃
二极管典型电流－电压（I-V）特性。
因金属层与p型硅间：接触电阻 > 金属层与n型硅间：接触电阻
P沟道MOS场效应管正向电压VF更高。
高压元件 即>100V最大正向电压=1.6V，
低压元件即<100V最大正向电压值=1.0V
功率耗散
表面温度=25℃
重要：晶圆温度上升至最高允许值，所允许最大功率耗散。
功率耗散：
Tjmax=150℃或175℃
即元件pn结最高允许温度
元件结到壳热阻RthJC
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- 功率MOS场效应管导通电阻图解-MOS场效应管知识-竟业电子
- 一个功率MOS场效应管的导通电阻中有多个元件的电阻
功率MOS场效应管内阻
上图字母代表如下：
JFET晶体管的电阻RJ
漂移区电阻RD
衬底电阻Rsub
源极扩散电阻Rsource
沟道电阻Rch
积累层电阻RA
连接引线总电阻Rwcml
应用
高压元件：衬底电阻20mΩ-cm晶圆
低压元件：低于5mΩ-cm晶圆
Rwcml源极和漏极金属层与硅片接触面的接触电阻，金属层产生的电阻和引脚框架产生的电阻。
高压元件中，电阻非常小可忽略，
低压元件中，电阻非常大。
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- SiC MOS场效应管如何检测结温监控电路-竟业电子
- MOS场效应管结构中与之相关的阈值电压Vth，它负责在元件中创建导电通道的最小栅极电压，在漏极与源极间允许电流流动，如下图所示，阈值电压高于Vgs栅极驱动器电压数量。t0→t1导通过渡开始点，Id漏极电流=0
Vgs=t1时，即移动到Vth，Id增加，
准阈值电压概念：即为在导通过程中与t1的时间相对应的栅极驱动电压的值。
负温度系数结温度升高，t1量减少。
Lss'上电压发生变化，阈值电压与结温度间的现有关系改变。
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