功率MOS场效应管导通电阻图解

如下图所示

一个功率MOS场效应管的导通电阻中有多个元件的电阻

功率MOS场效应管内阻

上图字母代表如下：

JFET晶体管的电阻RJ

漂移区电阻RD

衬底电阻Rsub

源极扩散电阻Rsource

沟道电阻Rch

积累层电阻RA

连接引线总电阻Rwcml

 

应用

高压元件：衬底电阻20mΩ-cm晶圆

低压元件：低于5mΩ-cm晶圆

 

Rwcml源极和漏极金属层与硅片接触面的接触电阻，金属层产生的电阻和引脚框架产生的电阻。

 

高压元件中，电阻非常小可忽略，

低压元件中，电阻非常大。

 

如下图所示

在电压谱内，每个元件电阻，在RDS(on)值内所占的权重。

高电压：RDS(on)大部分是JFET晶体管电阻和epi外延层电阻

因：epi外延层高电阻或低载流子浓度；

低电压：RDS(on)大部分是沟道电阻+金属层+半导体接触面的接触电阻

因：金属层电阻连接引线电阻和引脚框架电阻，击穿低电压设备，衬底电阻即非常大。

渭水自萦秦塞曲，黄山旧绕汉宫斜。銮舆迥出千门柳，阁道回看上苑花。

云里帝城双凤阙，雨中春树万人家。为乘阳气行时令，不是宸游玩物华。