MOS场效应管二极管VF正向电压在规定源电流下，产生体二极管最大正向压降。

如下图所示

 

 

p－n结：Tj＝25 ℃ 或Tj＝150 ℃

二极管典型电流－电压（I-V）特性。

因金属层与p型硅间：接触电阻 > 金属层与n型硅间：接触电阻

P沟道MOS场效应管正向电压VF更高。

 

高压元件 即>100V最大正向电压=1.6V，

低压元件即<100V最大正向电压值=1.0V

 

 

功率耗散

表面温度=25℃

重要：晶圆温度上升至最高允许值，所允许最大功率耗散。

功率耗散：

 

Tjmax=150℃或175℃

即元件pn结最高允许温度

元件结到壳热阻RthJC