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  • MOS场效应管二极管正向电压及功率耗散-竟业电子

       时间:2021/6/24       阅读:1130    关键词:MOS场效应管

     

    MOS场效应管二极管VF正向电压在规定源电流下,产生体二极管最大正向压降。

    如下图所示

    MOS场效应管二极管正向电压及功率耗散-

     

     

    pnTj25 Tj150

    二极管典型电流-电压(I-V)特性。

    金属层与p型硅间接触电阻 > 金属层与n型硅间接触电阻

    P沟道MOS场效应管正向电压VF更高。

     

    高压元件 >100V最大正向电压=1.6V

    低压元件即<100V最大正向电压值=1.0V

     

     

    功率耗散

    表面温度=25

    重要晶圆温度上升最高允许值所允许最大功率耗散。

    功率耗散

    MOS场效应管二极管正向电压及功率耗散-

     

    Tjmax=150℃或175

    即元pn结最高允许温度

    件结到壳热阻RthJC

     

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