反激式转换器电路图

如下所示

MOS场效应管操作期间，漏电感存储能量。

若电感没有正确钳位，MOS场效应管关断时，过初级开关让漏电感通放电，或致雪崩操作，

如下图所示

2 与 3 中 VDS、ID 和 VGS 与时间关系波形；

反激式转换器开关在雪崩波形下：

雪崩故障模式：功率半导体元件设计在有限时间内承受一定量雪崩电流，可达雪崩额定值。

 

功率 MOS场效应管元件物理

半导体元件一般都含物理设计固有寄生元件，MOS场效应管组件：电容器+电阻器+体二极管+ NPN序列（即BJT）

如下图所示

电容器= p 与 n 区间的结中电荷转移产生

电阻器=与材料电阻率相关

体二极管=p+ 体扩散进入 n- 外延层时形成

NPN序列=在 n+ 源极触点扩散的地方形成

 

功率 MOS场效应管横截面：

在雪崩中，MOS场效应管电路模型相当于二极管 pn 结，不会阻断电压。
更高电压施加在其上，会达到临界场，碰撞电离=∞，雪崩倍增，载流子浓度增加。

径向场分量，元件内部电场在结弯曲处最强。

此强电场在寄生 BJT 附近产生最大电流

如下图所示

 

功耗增加温度，RB增加 ，硅电阻率随温度增加；

根据欧姆定律，恒定电流下增加电阻，致电阻两端电压降增加。