英飞凌infineon MOS场效应管IRF3205S优势

宽SOA的平面单元结构

为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化

符合JEDEC标准的产品鉴定

硅优化应用开关低于100千赫

工业标准表面贴装电源组件

高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸）

能被波浪焊接的

 

D2-Pak封装中的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET

为分销合作伙伴提供最广泛的可用性而优化

符合JEDEC标准的产品鉴定

为10V栅极驱动电压优化（称为正常电平）

工业标准表面贴装电源组件

高载流能力封装（高达195A，取决于芯片尺寸）

能被波浪焊接的

 

英飞凌infineon MOS场效应管 IRF3205S参数   Datasheet下载