米勒平台时间，GS电容+Cgd电容+Id+Vd+驱动电流Igs+Layout回路大小+板级走线+MOS场效应管内部电感影响GS电流回路。

受影响即Vgs波形容易发生震荡。

 

 

米勒电容Cgd大小，受漏极电压Vd影响

Vd电压越高，Cgd越大；

Vd电压越低，Cgd越小；

 

Vd电压间接影响GS电流

Vd电压高，受米勒电容影响越大。

 

高压MOS场效应管，Vd越大Id电流越小，即米勒电容大，DS电流小，导通后即容易震荡。

低压MOS场效应管，Vd电压低，米勒电容小，Id电流大，关断易震荡。

如下图所示

 

高压MOS场效应管

若：带PFC模块，Vbus电压=390V~400V

MOS场效应管导通，Vd=400V迅速降到0V，漏极dv/dt是很大。

米勒平台时间越短，dv/dt越大。

低压MOS场效应管，米勒平台时间越短，di/dt越大。

 

米勒平台时间变短

高压小电流开通，dv/dt 大；

低压大电流关断，di/dt 大；

 

DS迅速变化即dv/dt，di/dt，通过米勒电容Cgd+Cgs电容等反馈到栅极，栅极驱动波形即被影响，栅极平台区域现干扰；

高压MOS场效应管开通过程中，DS内阻=∞→很小；

低压MOS场效应管关断过程中，DS内阻=很小→∞。

 

高压MOS场效应管开通时震荡

引起原因：dv/d+LC

 

L=走线电感+MOS场效应管内部寄生电感

C=Cgs和Cgd

此震荡无法根除，只能减小。

原因：

与栅极驱动电路走线+地的处理有关；

与整个驱动回路的大小有关，回路越短越好；

与Id电流有关。

 

 

 

米勒平台区出现震荡，MOS场效应管严重发热，可能损坏，不可抗冲击。

因此GS电压值确定，最重要的是：米勒平台时间与栅极驱动电阻关系；

 

高压MOS场效应管栅极电阻取值：100R~330R。