MOS场效应管驱动器电气过载测试，即EOS测试；

因此建接近实际情况电路；

 

此电路含有应用于5 kW~20 kW逆变器的电容和电阻。

用2 W额定功率金属电阻应用于轴向型栅极电阻Rg。

 

用阻流二极管D1是为了不让电流从高压电路反向进入外部电源。

可反应出实际情况，要组成自举电路，浮动电源至少包括一个整流器即可，

电解电容块充电：是高压电源HV通过充电电阻Rch+开关S1的电路

 

实施EOS测试

控制输入VIA或VIB，用500μs开启信号；

开启信号通过微隔离传输，会造成短路，并损毁功率晶体管T1。

若在一定情况时，会出现晶体管封装爆炸。

 

四种功率开关，两级电压仿真逆变器的损坏。

特定开关类型，实施首次测试先后，在不采用和采用功率限制电路的情况下进行。

要限制损坏阶段流入驱动器电路电流，有些测试直接在驱动器输出引脚处配置齐纳二极管Dz即BZ16，1.3 W。

如下图所示，几种EOS电路：

应用：测量功率开关损坏，对隔离耐受性能影响ADuM4223

应用：确定隔离耐受度功率限制ADuM4223

应用：最糟糕时，如输入和输出芯片直接承受电流时，ADuM4223