MOS场效应管功率开关栅级驱动器封装，对不同开关和不同测试条件，芯片有着相似损坏。

如下图所示

 

基于P-MOS场效应管输出驱动级损坏。

如下表所示

电压=750 V，试验IGBT爆炸+限流器件Rg+DZ损坏；

只看到引脚VDDA线焊位置附近小范围熔化，损坏阶段，栅级过电流通过内置P-MOS场效应管二极管流入 100 μF 电容，过电流，线焊附近区域熔化。

 

驱动器芯片没有进一步损坏，控制芯片也没有出现进一步的隔离损坏。

如下图所示

试验：熔融区域，直接将150 V高压施加于驱动器芯片，控制芯片电隔离通过本次极端过载试验。

 

如上图1，试验8期间：损坏位置 ADuM4223 #1，输出芯片表面有一小块烧坏，隔离栅没有受损；

 

上图2，试验9期间：损坏位置ADuM4223 #2，极端电气过载时控制芯片没有损坏，隔离栅没有受损。

如下图所示

试验10期间，损坏位置，输出驱动器施加超高功率损坏了电路，大面积烧坏，隔离栅并没有受损。

 

主侧最坏：是对控制芯片施加超高电源电压时。

试验11：对VDD1引脚施加15 V电源电压，超过7.0 V绝对最大额定值。

如下图中的照片显示VDD1引脚附近芯片有部分烧坏。