击穿电压

80年代末MOS场效应管BVDSS漏源击穿电压在400V~1000V已到极至，随着Rds（ON）改善，大封装靠硅晶片面积增大达到效果，

PLANER缺点：Rds（ON）迅速上升，Rds（ON）∝BV2.6，功耗增大，MOS场效应管高压发展已经瓶颈。

 

双极性晶体管

用少子PLANER导电，MOS场效应管易做到高压，饱和开关时，集电极区阻抗电导调制效应，Rce（sat）降低，但是MOS场效应管并没有电导调制效应Rce（sat）∝BV2 。

如下图所示

ZETEX 3rd 晶体的Rce（on） vs BV

 

ZETEX  FMMT459

Bvces=450V

Ic=150mA

Rce（sat）typ=1.4ohm

SOT-23封装

MOS场效应管同样参数，需DPAK大封装

如下图所示

20V击穿电压，MOS场效应管与晶体管导通电阻对比：

 

双极性晶体管击穿电压：双向性;

MOSFET击穿电压：单向；

原因：体二极管

MOS场效应管，反压击穿，要并联反向二极管，2个MOS场效应管组成MOS场效应管对，但是会增大导通损耗。