MOS场效应管导通电阻受温度影响

功率MOS场效应管开关，温度升高，导通电阻上升。

 

操作温度范围内

温度上升，MOS场效应管的Rds（ON）以2倍正斜率上升；

如下图所示

约0.64%/度

驱动条件一定

MOS场效应管：通过降低开启门限电压来补偿；

晶体管：温度上升，增益迅速上升，Vce（sat）变化小

如下图所示

Rce（sat）上升的速率=Rds（ON）/2≈0.38%/度

硅面积相同，晶体管温升更小，电流密度更高。

 

硅利用率：

MOS场效应管，导通前，需横向开拓电流通路，要半导体硅晶片更多。

BIPOLAR TRANSISTOR最优化，用电流垂直流动

如下图所示

ZETEX最新几何技术

把base contact最小化，最大的利用发射区面积。

 

相同硅晶片

晶体管比MOS场效应管传输电流更有效，可让封装减小。