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- Eatron AI驱动BMS软件与英飞凌infineon组件集成-竟业电子
- 英飞凌infineon和Eatron将人工智能电池管理解决方案的合作扩展到工业和消费应用
全球电力系统和物联网半导体领导者英飞凌infineon科和领先的人工智能电池优化软件提供商Eatron将其现有的汽车电池管理解决方案（BMS）合作伙伴关系扩展到包括各种工业和消费应用在内的全面BMS产品组合。
该技术将Eatron的AI驱动BMS软件与英飞凌infineon的组件集成在一起，包括用于电池保护的MOSFET和基于PSOC 6 AI的电池管理系统，以实现最先进的机器学习功能。
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- 英飞凌CoolGaN™功率晶体管提升SounDigital-竟业电子
- 英飞凌infineon CoolGaN™功率晶体管使SounDigital能够在较小的放大器系统中达到更高的保真度
尖端音频设备制造商不断寻求提高音质，同时满足对紧凑、轻便、更集成和节能设计日益增长的需求。与此同时，他们必须确保无缝连接、成本效益和用户友好的功能，使音频产品开发比以往任何时候都更加复杂。为了克服这些挑战，SounDigital将英飞凌infineon的CoolGaN™晶体管集成到其新的1500 W D类放大器中，该放大器具有800 kHz的开关频率和五个通道。英飞凌先进的GaN技术使放大器的能效提高了5%，能量损失降低了60%。
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- 英飞凌推出采用新型硅封装的CoolGaN™G3晶体管推动全行业标准化-竟业电子
- 氮化镓（GaN）技术在使电力电子设备达到最高性能水平方面发挥着至关重要的作用。然而，到目前为止，GaN供应商对封装类型和尺寸采取了不同的方法，导致客户出现碎片化和缺乏多足迹兼容源。
英飞凌infineon通过宣布RQFN 5x6封装的高性能氮化镓CoolGaN™G3晶体管100 V（IGD015S10S1）和RQFN 3.3x3.3封装的80 V（IGE033S08S1）来应对这一挑战。
英飞凌infineon中压GaN产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：新器件与行业标准硅MOSFET封装兼容，满足了客户对标准化占地面积、更容易处理和更快上市时间的需求。
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- 英飞凌infineon推Q-DPAK和TOLL封装MOS场效应管-竟业电子
- 为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，英飞凌infineon正在扩大其分立CoolSiC™MOS场效应管 650 V的产品组合，推出两个采用Q-DPAK和TOLL封装的新产品系列。
这些具有顶部和底部冷却功能的多样化产品系列基于CoolSiC™第2代（G2）技术，显著提高了性能、可靠性和易用性。这些产品系列针对中高功率开关电源（SMPS），包括人工智能服务器、可再生能源、电动汽车充电器、电动汽车和人形机器人、电视、驱动器和固态断路器。
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- 英飞凌infineon2025预测氮化镓推动能源效率-竟业电子
- 英飞凌infineon在其2025年的预测——GaN功率半导体中强调，氮化镓将成为一种改变游戏规则的半导体材料，彻底改变我们在消费、移动、住宅太阳能、电信和人工智能数据中心行业实现能源效率和脱碳的方式。GaN在终端客户的应用中提供了显著的优势，实现了高效的性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总体成本。虽然USB-C充电器和适配器一直是先驱，但GaN现在正朝着在其他行业采用的临界点发展，从而大大推动了GaN基功率半导体市场的发展。
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- 英飞凌新型EiceDRIVER™Power全桥变压器驱动器-竟业电子
- 英飞凌infineon推出了用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVER™Power 2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。通过2EP1xxR系列，英飞凌infineon扩展了其功率器件产品组合，为设计人员提供隔离栅极驱动器电源的解决方案。通过使用这些器件，可以实现非对称输出电压，以经济高效和节省空间的方式为隔离栅极驱动器供电。这使得2EP1xxR特别适合需要隔离栅极驱动器的工业或消费应用，包括太阳能应用、电动汽车充电、储能系统、焊接、不间断电源和驱动应用。
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- 英飞凌推出集成I²t电线保护的PROFET™电线保护装置-竟业电子
- 现代、分散和区域配电架构需要可靠的解决方案，英飞凌infineon通过PROFET™导线保护器为开发人员提供现代配电的先进导线保护，与传统保险丝相比，该产品系列可以通过集成和精确的I²t电线保护曲线更准确地模拟电线的应力特性，该曲线可以根据应用要求从六条实施的曲线中选择。结合其他功能，集成的I²t导线保护精度可在更换机械继电器和保险丝时优化线束。
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- OptiMOS™线性FET 2 MOSFET实现最佳热插拔和电池保护-竟业电子
- 人工智能服务器和电信中的安全热插拔操作需要具有稳健线性操作模式和低R DS（on）的MOSFET。英飞凌通过新的OptiMOS™5线性FET 2解决了这一挑战，该MOSFET旨在在沟槽MOSFET的R DS（on）和经典平面MOSFET的宽安全工作区（SOA）之间实现理想的权衡。该装置通过限制高涌入电流来防止对负载的损坏，并由于其低R DS（on）而确保在运行过程中损失最小。
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- 英飞凌infineon用 AURIX™TC4x MCU推区域控制单元创新-竟业电子
- 英飞凌infineon和Marelli之间的合作结合了两家公司的汽车专业知识，使用英飞凌infineon最新的AURIX™TC4x微控制器开发创新的区域控制单元（ZCU）,英飞凌infineon和汽车行业领先的移动技术供应商Marelli正在共同开发先进的E/E架构解决方案。此次合作结合了两家公司的汽车专业知识，使用英飞凌最新的AURIX™TC4x微控制器开发创新的区域控制单元（ZCU）。
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- 英飞凌infineon高性能微控制器AURIX™TC4Dx-竟业电子
- 英飞凌infineon新的高性能微控制器：英飞凌英飞凌出AURIX™TC4Dx
英飞凌infineon今天宣布推出AURIX™TC4Dx微控制器（MCU），这是最新AURIX TC4x系列的第一个成员。基于28nm技术，AURIX TC4Dx提供了更高的性能和高速连接。它将功率和性能增强与虚拟化、人工智能、功能安全、网络安全和网络功能的最新趋势相结合，为新的电气/电子（E/E）架构以及下一代软件定义车辆铺平了道路。像AURIX TC4Dx这样的MCU对于控制和监控汽车中的各种系统至关重要，如车辆运动控制、高级驾驶员辅助系统（ADAS）和底盘。
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