英飞凌infineon推Q-DPAK和TOLL封装MOS场效应管-竟业电子

   时间:2025/2/13      阅读:645   关键词:英飞凌infineon,MOS场效应管

​​​​​DPAK和TOLL封装的新型工业级CoolSiC™MOS场效应管 650 V G2提供了更高的功率密度

电子行业正在经历向更紧凑、更强大的系统的重大转变。

为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新,英飞凌infineon正在扩大其分立CoolSiC™MOS场效应管 650 V的产品组合,推出两个采用Q-DPAK和TOLL封装的新产品系列。

这些具有顶部和底部冷却功能的多样化产品系列基于CoolSiC™第2代(G2)技术,显著提高了性能、可靠性和易用性。这些产品系列针对中高功率开关电源(SMPS),包括人工智能服务器、可再生能源、电动汽车充电器、电动汽车和人形机器人、电视、驱动器和固态断路器。



英飞凌infineon推Q-DPAK和TOLL封装MOS场效应管

TOLL封装提供了出色的板载热循环(TCoB)能力,通过减少印刷电路板(PCB)的占地面积实现了紧凑的系统设计。当用于SMPS时,它还可以降低系统级制造成本。TOLL封装现在适合更多的目标应用,使PCB设计人员能够进一步降低成本,更好地满足市场需求。


DPAK封装的推出补充了英飞凌infineon正在开发的新型顶部冷却(TSC)产品系列,其中包括CoolMOS™8、CoolSiC™、CoolGaN™和OptiMOS™。

TSC系列使客户能够以低成本实现出色的鲁棒性、最大的功率密度和系统效率。它还可以实现95%的直接散热,允许使用PCB的两侧来更好地管理空间和减少寄生效应。

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