氮化镓（GaN）技术在使电力电子设备达到最高性能水平方面发挥着至关重要的作用。然而，到目前为止，GaN供应商对封装类型和尺寸采取了不同的方法，导致客户出现碎片化和缺乏多足迹兼容源。

英飞凌infineon通过宣布RQFN 5x6封装的高性能氮化镓CoolGaN™G3晶体管100 V（IGD015S10S1）和RQFN 3.3x3.3封装的80 V（IGE033S08S1）来应对这一挑战。

英飞凌infineon中压GaN产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：新器件与行业标准硅MOSFET封装兼容，满足了客户对标准化占地面积、更容易处理和更快上市时间的需求。

CoolGaN G3 100 V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为1.1 mΩ。此外，3.3x3.3 RQFN封装中的80 V晶体管的典型电阻为2.3 mΩ。这些晶体管首次提供了一种足迹，允许采用简单的多源策略和硅基设计的互补布局。

新封装与GaN结合提供了低电阻连接和低寄生效应，使高性能晶体管能够在熟悉的占地面积内输出。

此外，这种芯片和封装组合除了提高导热性外，还允许在热循环方面具有高度的鲁棒性，因为由于更大的暴露表面积和更高的铜密度，热量分布和消散得更好。